[实用新型]化学气相沉积反应腔气体匀流系统

说明书

本实用新型属于化学气相沉积技术领域，提供了化学气相沉积反应腔气体匀流系统。该系统主要包括喷淋头、匀流板、进气管、出气孔和上腔盖；所述的喷淋头位于系统的底部，喷淋头周围布置多个出气孔；所述的匀流板安装在喷淋头的上方，与喷淋头之间留有空腔；所述的上腔盖位于匀流板的上方，用于盖合整个系统，上腔盖与匀流板之间留有空腔；所述的上腔盖，顶部开有多个进气管。本实用新型可根据调节不同区域气体流量参数来控制反应腔室中局部位置沉积均匀性较差问题，可降低N₂流量，节约气体成本。

技术领域

本实用新型属于化学气相沉积技术领域，涉及化学气相沉积反应腔气体匀流系统。

背景技术

一般化学气相沉积气体分配系统模式：

1、精密仪器测量上腔盖尺寸，并使其平均分为四个区域。

2、每个区域进气孔配置相同的MFC、进气管及出气管，每个区域共用匀流板及喷淋头。

3、沉积后测量各圈状况，根据实际状况重修正每块区域气路校准设定值。

4、重复步骤3直到各圈均匀性达到要求。

该模式存在的技术问题：分配四个子区域，需多配置MFC，会导致机台工艺气柜各路气体漏率增大，MFC增多会使各区域通入气体的实际值和设定值偏差较大，需定时进行检测、校准。

实用新型内容

本实用新型的目的是解决上述问题，提供化学气相沉积反应腔气体匀流系统。

本实用新型的技术方案：

化学气相沉积反应腔气体匀流系统，包括喷淋头1、匀流板2、进气管3、出气孔4和上腔盖5；

所述的喷淋头1设置于系统的底部，喷淋头1周围布置多个出气孔4；所述的匀流板2安装在喷淋头1上方，与喷淋头1之间留有空腔；所述的上腔盖5位于匀流板2上方，用于盖合整个系统，上腔盖5与匀流板2之间留有空腔；所述的上腔盖5，顶部开有多个进气管3。

本实用新型的有益效果：本实用新型可根据调节不同区域气体流量参数来控制反应腔室中局部位置沉积均匀性较差问题，可降低N₂流量(N₂目的是控制均匀性)，节约气体成本。

附图说明

图1为本实用新型的系统的示意图。

图中：1喷淋头；2匀流板；3进气管；4出气孔；5上腔盖。

具体实施方式

下面结合附图和技术方案详细描述本实用新型的具体实施方式。

本实用新型的系统如图1所示。

一种化学气相沉积反应腔气体匀流系统，包括喷淋头1、匀流板2、进气管3、出气孔4和上腔盖5；

所述的喷淋头1设置于系统的底部，喷淋头1周围布置多个出气孔4；所述的匀流板2安装在喷淋头1上方，与喷淋头1之间留有空腔；所述的上腔盖5位于匀流板2上方，用于盖合整个系统，上腔盖5与匀流板2之间留有空腔；所述的上腔盖5，顶部开有多个进气管3。

具体安装步骤如下：

1、精密仪器测量上腔盖尺寸，并使其平均分为四个区域。

2、根据区域同点安装进气管及MFC。

3由多个进气管区域构成气体匀流系统。

4、沉积后测量各圈状况，根据实际情况修改各管路气体校准参数即可调整各圈均匀性。