[实用新型]半导体功率模块的功率老炼装置

说明书

本实用新型实施例提供一种半导体功率模块的功率老炼装置，包括电源、信号发生电路、驱动信号放大模块、隔离电源和多个连接模块，每个连接模块均设有分别用于连接待老炼的半导体功率模块的第一极、第二极和第三极的第一连接端、第二连接端和第三连接端，各连接模块串联设置，第一个连接模块的第一连接端还连接至电源的输出正极，而其他连接模块的第一连接端还均分别对应地连接前一个连接模块的第二连接端，最后一个连接模块的第二连接端还连接电源的输出负极，各连接模块的第三连接端还分别一一对应地连接相对应的一个驱动信号放大模块；各驱动信号放大模块一一对应地连接相对应的一个隔离电源，各驱动信号放大模块均连接至同一个信号发生电路。

技术领域

本实用新型实施例涉及功率模块的功率老炼技术领域，具体涉及一种半导体功率模块的功率老炼装置。

背景技术

IGBT或MOS管构成的半导体功率模块作为一种大功率半导体功率开关器件，广泛应用于电机变频调速以及各种高性能电源、工业电气自动化等领域有着广阔的市场。半导体功率模块在出厂前都需要进行老炼处理，老炼处理耗时较长，特别是对于军用半导体功率模块的老炼处理，按照军用规范要求，对每只半导体功率模块都必须进行至少160小时功率老炼筛选，鉴定时需要再进行至少1000小时功率老炼。

现有的老炼处理，通常是将待老炼的各个半导体功率模块以并联方式连接于电源和相应的驱动模块之间，由各驱动模块产生信号驱动对应的半导体功率模块导通或关断。驱动每个半导体功率模块进行老炼处理的信号都是独立产生和传送至半导体功率模块，系统架构复杂，老炼处理的能耗大。

实用新型内容

本实用新型实施例要解决的技术问题在于，提供一种半导体功率模块的功率老炼装置，能有效降低老炼处理的能耗。

为解决上述技术问题，本实用新型实施例采用如下技术方案：一种半导体功率模块的功率老炼装置，包括电源、信号发生电路、驱动信号放大模块、隔离电源和多个用于一一对应地连接各待老炼的半导体功率模块的连接模块，每个连接模块均设置有用于连接待老炼的半导体功率模块的第一极的第一连接端、用于连接待老炼的半导体功率模块的第二极的第二连接端和用于连接待老炼的半导体功率模块的第三极的第三连接端，所述各连接模块串联设置，其中，第一个连接模块的第一连接端还连接至电源的输出正极，而其他连接模块的第一连接端还均分别对应地连接前一个连接模块的第二连接端，最后一个连接模块的第二连接端还连接电源的输出负极，各连接模块的第三连接端还分别一一对应地连接相对应的一个驱动信号放大模块；所述各驱动信号放大模块一一对应地连接相对应的一个隔离电源，每个所述驱动信号放大模块还均连接至同一个信号发生电路。

进一步地，每个所述隔离电源与相对应的一个驱动信号放大模块集成一体。

进一步地，所述驱动信号放大模块和信号发生电路之间还设置有光耦或变压器。

进一步地，每个连接模块还包括一个连接于第一连接端和第二连接端之间、用于指示所述连接模块对应连接的半导体功率模块导通状态的发光二极管。

采用上述技术方案，本实用新型实施例至少具有以下有益效果：本实用新型实施例通过信号发生电路产生一个预定的驱动信号来驱动半导体功率模块中的各个IGBT或MOS管芯片，每个驱动信号放大模块配备一个隔离电源供电，驱动信号放大模块接收信号发生电路发送过来的驱动信号，将驱动信号放大后再驱动半导体功率模块中IGBT或MOS管芯片按一定方式导通或关断。由于是采用同一驱动信号，所以在老炼过程中，该驱动信号使所有串联的半导体功率模块中至少有一组IGBT或MOS管芯片是同时导通的，使得电源提供的恒定电流得以流过这些串联起来的半导体功率模块，以半导体功率模块自身为负载进行老炼，所消耗掉的功率仅为半导体功率模块的自身固有损耗，大大节约了老炼电力消耗。并且采用这种方法进行老炼时，即便驱动信号出现错误导致模块桥臂短路直通，也不会损坏半导体功率模块，保证了老炼时半导体功率模块的安全。本方法可广泛应用于由IGBT或MOS管构成的半导体功率模块的功率老炼。

附图说明