[实用新型]超声波指纹传感器

权利要求书

1.一种超声波指纹传感器，其特征在于，包括：

CMOS电路；以及

至少一个超声波换能器，

其中，所述CMOS电路与所述至少一个超声波换能器连接，用于驱动所述至少一个超声波换能器和处理所述至少一个超声波换能器产生的检测信号，

其中，所述至少一个超声波换能器包括：

模板层，所述模板层包括第一开口；

位于所述模板层上的第一停止层，所述第一停止层共形地覆盖所述模板层，从而形成与所述第一开口对应的空腔；

位于所述第一停止层上的第二停止层；

位于所述第二停止层上的压电叠层；以及

穿过所述压电叠层到达所述空腔的至少一个第二开口，

其中，所述第一停止层和所述第二停止层共同围绕所述空腔。

2.根据权利要求1所述的超声波指纹传感器，其特征在于，还包括：位于所述压电叠层上的密封层，用于封闭所述至少一个第二开口。

3.根据权利要求2所述的超声波指纹传感器，其特征在于，所述密封层由选自聚对二甲苯、聚酰亚胺、氧化铝、氮化铝、氧化硅和氮化硅中的任一种组成。

4.根据权利要求1所述的超声波指纹传感器，其特征在于，所述压电叠层包括：堆叠的第一电极、压电层和第二电极，其中，所述第一电极和所述第二电极分别接触所述压电层的下表面和上表面。

5.根据权利要求4所述的超声波指纹传感器，其特征在于，所述压电层由选自氮化铝、偏聚氟乙烯、偏聚氟乙烯-三氟乙烯、锆钛酸铅压电陶瓷、铌酸锂压电陶瓷中的任意一种组成。

6.根据权利要求5所述的超声波指纹传感器，其特征在于，还包括：

位于所述第二停止层和第一电极之间的种子层，

其中，所述压电层和所述种子层分别为氮化铝。

7.根据权利要求1所述的超声波指纹传感器，其特征在于，所述至少一个第二开口的横向尺寸为0.1微米至0.8微米。

8.根据权利要求1所述的超声波指纹传感器，其特征在于，所述模板层由选自金属、半导体、非晶硅、氧化硅和氮化硅任一种的材料组成。

9.根据权利要求1所述的超声波指纹传感器，其特征在于，所述第一停止层和所述第二停止层分别由耐蚀材料组成。

10.根据权利要求9所述的超声波指纹传感器，其特征在于，所述耐蚀材料包括选自钽、金、氮化铝、氧化铝和非晶硅中的任意一种。

11.根据权利要求4所述的超声波指纹传感器，其特征在于，还包括：

将所述第一电极与所述CMOS电路电连接的第一导电通道；以及

将所述第二电极与所述CMOS电路电连接的第二导电通道。

12.根据权利要求11所述的超声波指纹传感器，其特征在于，所述第一导电通道从所述压电层的上表面穿过所述压电层到达所述第一电极。

13.根据权利要求11所述的超声波指纹传感器，其特征在于，所述第二电极与所述第二导电通道由相同的导电层图案化形成且彼此连接。

14.根据权利要求11所述的超声波指纹传感器，其特征在于，所述CMOS电路包括衬底和在衬底上形成的至少一个晶体管。

15.根据权利要求14所述的超声波指纹传感器，其特征在于，所述CMOS电路还包括位于所述至少一个晶体管上的布线层和层间介质层，所述层间介质层覆盖所述布线层。