[发明专利]半导体器件和半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

在所述衬底上制作的沟道层；

在所述沟道层远离所述衬底的一面制作的势垒层；

在所述势垒层远离所述沟道层的一面制作的钝化层；

基于所述钝化层制作的电极，其中，该电极包括源极、漏极和位于该源极与该漏极之间的栅极；

所述钝化层是应力增强型钝化层；

基于所述应力增强型钝化层开设的至少一个位于所述栅极和所述漏极之间的凹槽结构，该凹槽结构与该栅极之间的距离小于与漏极之间的距离。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述凹槽结构位置对应的所述势垒层与所述沟道层界面处的二维电子气至少部分耗尽。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述凹槽结构中靠近所述势垒层的部分的截面积小于远离所述势垒层的部分的截面积。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，在沿所述应力增强型钝化层的厚度方向形成的剖面结构中，所述凹槽结构靠近所述栅极的一边与该厚度方向形成第一夹角、远离所述栅极的一边与该厚度方向形成第二夹角，且该第一夹角等于该第二夹角。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，在沿所述钝化层的厚度方向形成的剖面结构中，所述凹槽结构靠近所述栅极的一边与该厚度方向形成第一夹角、远离所述栅极的一边与该厚度方向形成第二夹角，且该第一夹角小于该第二夹角。

6.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，在沿所述钝化层的厚度方向形成的剖面结构中，所述凹槽结构包括靠近栅极的第一侧边、远离栅极的第二侧边以及连接在该第一侧边和第二侧边之间的底边，该底边与所述势垒层不平行，所述第一侧边与该厚度方向形成第一夹角、第二侧边与该厚度方向形成第二夹角、底边与该厚度方向形成第三夹角，所述第一夹角等于第二夹角、小于第三夹角。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述凹槽结构为两个或两个以上，每个凹槽结构与栅极之间的距离小于与漏极之间的距离。

8.根据权利要求1-6任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述凹槽结构从所述钝化层远离势垒层的一表面延伸至所述钝化层内部；或

所述凹槽结构从所述钝化层远离势垒层的一表面延伸至所述钝化层和所述势垒层的界面；或

所述凹槽结构从所述钝化层远离势垒层的一表面贯穿所述钝化层且延伸至所述势垒层的内部。

9.一种半导体器件制造方法，其特征在于，用于制备权利要求1-9任意一项所述的半导体器件，所述方法包括：

提供一衬底，并在该衬底上制作沟道层；

在所述沟道层远离所述衬底的一面制作势垒层；

在所述势垒层远离所述沟道层的一面制作应力增强型钝化层；

基于所述应力增强型钝化层远离所述势垒层的一面开设分别用于制作源极、漏极以及位于该源极和漏极之间的栅极的源极槽、漏极槽和栅极槽；

基于所述钝化层远离所述势垒层的一面开设凹槽结构，该凹槽结构与栅极槽之间的距离小于与漏极槽之间的距离。

10.根据权利要求9所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述应力增强型钝化层通过高频PECVD工艺生长形成。

11.根据权利要求9所述的半导体器件制造方法，其特征在于，在所述凹槽结构中靠近所述势垒层的部分的截面积小于远离所述势垒层的部分的截面积。

12.根据权利要求9所述的半导体器件制造方法，其特征在于，基于所述钝化层远离所述势垒层的一面开设的凹槽结构为两个或两个以上，且每个凹槽结构与栅极之间的距离小于与漏极之间的距离。