[发明专利]倒置QLED器件的制备方法

说明书

本申请提供一种倒置QLED器件的制备方法，包括一制备电子传输层的制程，制备电子传输层的制程包括制备电子传输层的前驱体溶液；调节前驱体溶液的表面张力和黏度，以适应喷墨打印的需求；采用喷墨打印工艺将调节完毕的前驱体溶液喷涂在阴极层上，并干燥形成一膜层；热处理膜层，以形成电子传输层。本申请通过采用原位反应法形成电子传输层，提高了电子传输层的成膜性、均一性和平整性。

技术领域

本申请涉及一种显示技术，特别涉及一种倒置QLED器件的制备方法。

背景技术

在QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes，量子点发光二极管)器件中，一般采用ZnO(氧化锌)作为器件的电子传输层，但是利用ZnO纳米粒子溶液的方法制备得到的ZnO薄膜成膜性差，很难得到平整的薄膜，进一步影响器件的光电性能。

发明内容

本申请实施例提供一种倒置QLED器件的制备方法，以解决现有的倒置QLED器件的电子传输层的成膜性和平整性差的技术问题。

本申请实施例提供一种倒置QLED器件的制备方法，其包括：

步骤S1，提供一基板；

步骤S2，在所述基板上形成具有凹陷部的像素界定层；

步骤S3，在所述凹陷部内形成阴极层；

步骤S4，在所述阴极层上形成电子传输层；

步骤S5，在所述电子传输层上依次形成发光层、空穴传输层和阳极层；

其中所述步骤S4包括：

步骤S41，制备所述电子传输层的前驱体溶液；

步骤S42，调节所述前驱体溶液的表面张力和黏度，以适应喷墨打印机的需求；

步骤S43，采用喷墨打印工艺将调节完毕的前驱体溶液喷涂在所述阴极层上，并干燥形成一膜层；

步骤S44，热处理所述膜层，以形成所述电子传输层。

在本申请的倒置QLED器件的制备方法中，所述步骤S41包括：

将二水合乙酸锌加入到乙二醇甲醚和乙醇胺的混合溶液中；

在第一设定温度下，搅拌第一设定时间，获得所述电子传输层的前驱体溶液。

在本申请的倒置QLED器件的制备方法中，所述乙二醇甲醚和所述乙醇胺的配比比例为625:18；

所述二水合乙酸锌的浓度介于0.08g/ml～0.11g/ml之间。

在本申请的倒置QLED器件的制备方法中，所述第一设定温度介于50℃～70℃之间，所述第一设定时间大于等于10小时。

在本申请的倒置QLED器件的制备方法中，所述步骤S42包括：

向所述前驱体溶液中加入表面张力调节剂，以使所述前驱体溶液的表面张力达到喷墨打印机的要求；

向所述前驱体溶液中加入黏度调节剂，以使所述前驱体溶液的黏度达到喷墨打印机的要求。

在本申请的倒置QLED器件的制备方法中，所述表面张力调节剂选自于咪唑及其衍生物、苯酚和对苯二酚中的一种或多种的组合，所述黏度调节剂选自于醇、醚、酯、酚和胺中的一种或多种的组合。

在本申请的倒置QLED器件的制备方法中，所述步骤S43的干燥制程在真空的状态下进行，且真空度小于等于1*10^-4Pa。

在本申请的倒置QLED器件的制备方法中，所述步骤S44包括：