[发明专利]存储器件及其测试电路

说明书

本发明提供一种存储器件及其测试电路。存储器件包括：多个存储单元阵列；多个数据传送器，其分别与多个存储单元阵列相对应并且适用于传送从对应的存储单元阵列并行读取的数据；以及测试电路，其适用于：在测试模式期间，在多个数据传送器之中选择一个数据传送器，并且将从被选中的数据传送器并行传送的数据顺序地输出到多个数据输入/输出焊盘之中的一个数据输入/输出焊盘。

相关申请的交叉引用

本申请要求2018年7月24日提交的第10-2018-0086050号韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。

技术领域

示例性实施例涉及一种存储器件，更具体地，涉及一种用于执行存储器件的测试操作的测试电路。

背景技术

存储系统可以用作用于消费者或工业用途的各种电子设备的主存储器件或辅助存储器件。例如，电子设备包括计算机、移动电话、便携式数字助理(PDA)、数码相机、游戏机、导航系统等。用于实现存储系统的存储器件可以被划分为诸如动态随机存取存储器(DRAM)和静态RAM(SRAM)的易失性存储器件，以及诸如只读存储器(ROM)、掩模ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、铁电RAM(FRAM)、相变RAM(PRAM)、磁阻RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM或ReRAM)和快闪存储器的非易失性存储器件。

存储器件可以包括用于储存数据的多个存储单元。随着存储器件的集成密度增大，存储单元的数量增多，需要更多的时间和成本来测试存储单元。因此，为了测试存储器件，可以应用并行测试方案。

例如，当测试多个DRAM芯片时，DRAM芯片的数据输入和输出(输入/输出)焊盘中的仅一个焊盘可以用于将测试数据写入DRAM芯片。即，测试数据可以经由一个数据输入/输出焊盘被输入，然后被复制并被储存到多个DRAM芯片中的对应存储单元中。通过读取操作，数据可以从多个DRAM芯片的对应存储单元读取然后被比较。根据比较结果，存储器件可以确定相同的数据是否被储存在多个DRAM芯片的对应存储单元中，并且所述确定结果可以经由一个数据输入/输出焊盘被输出为测试通过/失败。

通过测试操作，存储器件在测试失败的情况下可能仅检查存储单元中是否存在缺陷，但是可能不检查存在缺陷的存储单元的地址。当经由多个DRAM芯片的所有数据输入/输出焊盘来读取测试数据时，可以检查有缺陷的存储单元的地址。然而，由于与数据输入/输出焊盘耦接的测试设备中所包括的探针(probe pin)的数量是固定的，因此可以由测试设备同时测试的DRAM芯片的数量减少。结果，在存储器件的工艺成本提高的同时，存储器件的测试时间可能增多。因此，需要可以减少测试存储器件所需的时间和成本的用于存储器件的测试电路和测试方法。

发明内容

各种实施例涉及一种测试电路，其能够根据存储器件的测试操作来控制数据被输入到存储器件/从存储器件输出数据。

在本发明的一个实施例中，一种存储器件包括：多个存储单元阵列；多个数据传送器，其分别与所述多个存储单元阵列相对应，并且适用于传送从对应的存储单元阵列并行读取的数据；以及测试电路，其适用于：在测试模式期间，在所述多个数据传送器之中选择一个数据传送器，并且将从选中的数据传送器并行传送的数据顺序地输出到多个数据输入/输出焊盘之中的一个数据输入/输出焊盘。

在本发明的一个实施例中，一种存储器件包括：多个数据输入/输出线组；多个串行化器，其与相应的数据输入/输出线组相对应，并且适用于将经由对应组的数据输入/输出线传送的数据串行化；以及测试电路，其适用于：在测试模式期间，选择所述多个数据输入/输出线组中的一个组，并且将经由被选中的组的数据输入/输出线传送的数据输出到所述多个串行化器中的一个串行化器。