[发明专利]一种高强度HTCC陶瓷材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201811624190.9 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109437863A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 汤明川;戚俊迪;邵训达 | 申请（专利权）人： | 江苏省宜兴电子器件总厂有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/10 | 分类号： | C04B35/10;C04B35/622;C04B35/634;C04B35/632 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 吴旭 |
| 地址： | 214221 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷材料 制备 亚微米级氧化铝 致密 高温共烧陶瓷 微米级氧化铝 按比例混合 三氧化二铬 重量百分比 高岭土 干燥成型 三氧化钼 外壳制作 滑石粉 烧结 孔隙率 氧化钇 抗弯 流延 引入 | ||
1.一种高强度HTCC陶瓷材料，其特征在于：按照重量百分比，由以下组分组成：
2.根据权利要求1所述的高强度HTCC陶瓷材料，其特征在于：所述微米级氧化铝为α相、纯度大于99.8、中位粒径为1～10μm、比表面积为0.5～3m2/g。
3.根据权利要求1所述的高强度HTCC陶瓷材料，其特征在于：所述亚微米级氧化铝为α相、纯度大于99.8、中位粒径为0.1～1μm、比表面积为3～10m2/g。
4.根据权利要求1所述的高强度HTCC陶瓷材料，其特征在于：所述高岭土、滑石粉、三氧化二铬、三氧化钼和氧化钇的中位粒径均为1～10μm。
5.根据权利要求1-4任一所述的高强度HTCC陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
a、将原料中各组分按比例混合均匀；
b、加入流延助剂干燥成型；
c、于1500℃～1600℃下烧结成致密的陶瓷材料。
6.根据权利要求5所述的一种高强度HTCC陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述步骤a中，混合时间为12～24h。
7.根据权利要求5所述的一种高强度HTCC陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述的步骤b中，按照质量百分比，流延助剂由以下组分组成：
8.根据权利要求5或7所述的一种高强度HTCC陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述的步骤b中，流延助剂与HTCC陶瓷材料的原料的质量比为3:7。
9.根据权利要求5所述的一种高强度HTCC陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述步骤b中，干燥温度为25℃～105℃。
10.根据权利要求5所述的一种高强度HTCC陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述步骤c中，烧结时间为2～6h。
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