[发明专利]一种平面直光波导的制备方法

权利要求书

1.一种平面直光波导的制备方法，其特征是包括以下步骤：

(1)选取基片，在所述基片上设置光刻胶；

(2)对步骤(1)中设置光刻胶的基片进行紫外激光干涉光刻，在所述光刻胶表面形成条形阵列波导图形；

(3)利用掩膜对步骤(2)紫外激光干涉光刻过的基片进行紫外曝光，形成条形阵列波导图形中条形宽度渐变的平面直光波导图形；

(4)对经过步骤(3)紫外曝光过的基片进行显影，获得宽度渐变的光刻胶型平面直光波导。

2.根据权利要求1所述的平面直光波导的制备方法，其特征是还包括步骤(5)：对显影后的基片进行刻蚀，然后去除光刻胶，使光刻胶图案转移至基片上，获得宽度渐变的平面直光波导。

3.根据权利要求2所述的平面直光波导的制备方法，其特征是：所述刻蚀为干法刻蚀，所述干法刻蚀为等离子体刻蚀。

4.根据权利要求3所述的平面直光波导的制备方法，其特征是：所述等离子体刻蚀为反应离子刻蚀或感应耦合等离子刻蚀。

5.根据权利要求1或2所述的平面直光波导的制备方法，其特征是：步骤(1)中所述基片为绝缘体上的硅、玻璃/二氧化硅、铌酸锂、III-V族半导体化合物、氮氧化硅或高分子聚合物。

6.根据权利要求1或2所述的平面直光波导的制备方法，其特征是：步骤(1)中所述光刻胶为正性光刻胶，所述正性光刻胶的厚度为0.1μm～10μm。

7.根据权利要求1或2所述的平面直光波导的制备方法，其特征是：步骤(2)中所述条形阵列波导图形中条形的宽度为0.2μm～100μm。

8.根据权利要求1或2所述的宽度渐变平面直光波导的制备方法，其特征是：步骤(3)中所述掩膜为狭缝掩膜板、疏密渐变的条形掩膜板、疏密分布变化的点阵掩膜板或透光率渐变的掩膜。

9.根据权利要求1或2所述的平面直光波导的制备方法，其特征是：步骤(4)中所述宽度渐变的光刻胶型平面直光波导与步骤(5)中所述宽度渐变的平面直光波导主要由宽波导、渐变区及窄波导组成。