[发明专利]一种肖特基二极管及无线充电系统在审
| 申请号： | 201811619903.2 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109698243A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 李薇;李雯 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329;H02J50/20 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 肖特基二极管 衬底 无线充电系统 金属电极 上表面 能量转换效率 第二表面 第一表面 台阶表面 台阶结构 迁移率 脊状 引入 | ||
1.一种肖特基二极管(10)，其特征在于，包括：
Si衬底(101)；
第一Ge层(102)，设置于所述Si衬底(101)的第一表面；
第二Ge层(103)，设置于所述第一Ge层(102)的上表面，为脊状台阶结构；
SiGe层(104)，设置于所述第二Ge层(103)的台阶表面；
第一金属电极(105)，设置于所述第二Ge层(103)的上表面；
第二金属电极(106)，设置于所述Si衬底(101)的第二表面。
2.根据权利要求1所述的肖特基二极管(10)，其特征在于，所述Si衬底(101)为N型单晶Si衬底，掺杂浓度为1×1020cm-3，厚度为300～400μm。
3.根据权利要求1所述的肖特基二极管(10)，其特征在于，所述第一Ge层(102)材料为N型Ge材料，掺杂浓度为1×1020cm-3，厚度为40～50nm。
4.根据权利要求1所述的肖特基二极管(10)，其特征在于，所述第二Ge层(103)材料为N型Ge材料，掺杂浓度为1.8×1014～2×1014cm-3，厚度为900～950nm。
5.根据权利要求1所述的肖特基二极管(10)，其特征在于，所述SiGe层(104)材料为Si0.xGe0.x材料，厚度为20nm。
6.根据权利要求5所述的肖特基二极管(10)，其特征在于，所述Si0.xGe0.x材料中x取值为0.5。
7.根据权利要求1所述的肖特基二极管(10)，其特征在于，所述第一金属电极(105)材料为金属W，厚度为10～20nm；所述第二金属电极(106)材料为金属Al，厚度为10～20nm。
8.根据权利要求1所述的肖特基二极管(10)，其特征在于，所述第一金属电极(105)设置于所述第二Ge层(103)脊状台阶的脊状顶面的中心处；所述第二金属电极(106)设置于所述Si衬底(101)的第二表面的中心处。
9.根据权利要求1所述的肖特基二极管(10)，其特征在于，所述第二Ge层(103)的脊状台阶的台阶高度为20nm。
10.一种无线充电系统，其特征在于，所述无线充电系统包括：依次电连接的电源(301)、微波激励源(302)、功率放大器(303)、发射天线(304)以及整流天线(305)；其中，所述整流天线(305)包括至少一个如权利要求1-9所述的肖特基二极管(10)。
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