[发明专利]电荷重分配型SARADC电容失配校正方法及系统有效
申请号: | 201811617907.7 | 申请日: | 2018-12-28 |
公开(公告)号: | CN109687870B | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
发明(设计)人: | 刘亮明;赵晶文;眭志凌 | 申请(专利权)人: | 苏州云芯微电子科技有限公司 |
主分类号: | H03M1/10 | 分类号: | H03M1/10 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 215332 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 荷重 分配 saradc 电容 失配 校正 方法 系统 | ||
本发明公开了一种电荷重分配型SARADC电容失配校正方法,包括计算SARADC的直流失配DCsubgt;err/subgt;;基于DCsubgt;err/subgt;,计算除第1位电容外其他电容的校正系数;存储校正系数,SARADC正常工作时调用校正系数,对SARADC输出进行校正。同时也公开了相应的系统。本发明摒弃了传统的后台校正,在电路正常量化之前对需要校正的所有电容进行测量和量化,然后提取所需的校正系数并存储起来,在电路正常转换时,在数字域将校正系数加到量化后的输出编码,不需要在模拟域做任何处理,从而达到减小或消除电容失配的目的,适用SARADC小面积、低延时和高速度指标要求。
技术领域
本发明涉及一种电荷重分配型SARADC电容失配校正方法及系统,属于半导体集成电路设计领域。
背景技术
逐次逼近模数转换器(SARADC)的精度较高,功耗和面积小,并且随着纳米级互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的不断发展,高速高精度SARADC成为在各方面的应用越来越广泛。
传统的电荷重分配型SARADC中的数模转换器(DAC)由电容阵列构成,由于工艺偏差,单位电容之间的失配成为限制SARADC精度的重要因素。,电容的比例精度与电容的面积正相关,要想实现更高的比例精度,必须消耗更大的面积。对电容失配进行校正可以消除或减小失配误差,提高SARADC的精度。
目前来看,在纳米级工艺下,比较主流的校正技术是后台校正,对于后台校正,需要实时跟踪器件参数的变化,这样需要复杂的数字电路,会消耗大量的芯片面积和数据延时,且受限于校准算法的运算速度较慢,因此对面积、延时和速度有严格要求的设计中后台校正算法不适用。
综上,现在常用的后台校正不适用SARADC小面积、低延时和高速度的指标要求。
发明内容
本发明提供了一种电荷重分配型SARADC电容失配校正方法及系统,解决了传统方法不适用SARADC小面积、低延时和高速度指标要求的问题。
为了解决上述技术问题,本发明所采用的技术方案是:
电荷重分配型SARADC电容失配校正方法,包括以下步骤,
计算SARADC的直流失配DCerr;
基于DCerr,计算除第1位电容外其他电容的校正系数;
存储校正系数,SARADC正常工作时调用校正系数,对SARADC输出进行校正。
计算DCerr的过程为,将SARADC的差分输入端短接,测量获得的SAR ADC输出DCout为DCerr。
计算第n位电容校正系数的过程为,
控制第n位电容Cn采样参考高电平Reft,控制其他电容采样参考低电平Refb,控制大于等于第n位电容Cn输出为0;
第n位电容校正系数为,
其中,Ken为第n位电容校正系数,Kei为第i位电容校正系数,i∈[2,n-1],Sn为SARADC当前实际输出,Tn为SARADC当前理论输出,Di为第i位电容对应的二进制位输出结果。
输出校正过程为,若某电容对应的二进制位输出结果为1,则SARADC输出加上该电容校正系数;若某电容对应的二进制位输出结果为0,则SARADC输出内不需要处理。
电荷重分配型SARADC电容失配校正系统,包括,
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