[发明专利]一种MWT太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种MWT太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括将硅片经打孔，制绒和扩散步骤后刻蚀再经过氧化退火，背钝化，正面镀膜，激光开槽，丝网印刷和烧结形成欧姆接触的步骤最终得到MWT太阳能电池；所述刻蚀步骤去除硅片背面及四边侧面的磷硅玻璃，再加反应液进行碱抛光，得到反射率为40-50％的背表面。

2.根据权利要求1所述MWT太阳能电池的制备方法，其特征在于：刻蚀步骤中所述反应液为KOH、NaOH、有机碱中的一种和抛光剂组合，碱抛光的反应温度在50-70℃，反应时间为100-500s。

3.根据权利要求1所述MWT太阳能电池的制备方法，其特征在于：刻蚀步骤中用体积比为2-5％的HF溶液去除磷硅玻璃。

4.根据权利要求1所述MWT太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

第一步、打孔，在电池片上按照N×N孔洞点阵图形进行激光打孔；

第二步、制绒，采用常规化学清洗和织构化方法进行清洗和织构化，去除硅片表面的损伤层，降低光生载流子的复合速率；同时在硅片表面形成提高光吸收的均匀绒面；

第三步、扩散，将制绒后硅片背对背放置进行单面磷扩散；

第四步、刻蚀，在水膜保护下，去除扩散后的硅片背面及四边侧面的磷硅玻璃，再对硅片进行碱抛光，获得反射率为40-50％的背表面；

第五步、氧化退火，将刻蚀后的硅片背对背放置于石英舟中，进行氧化退火；

第六步、背钝化，先于硅片背面沉积钝化层，再于钝化层上制作氮化硅钝化减反射膜；

第七步、正面镀膜，于硅片正面镀上减反射膜；

第八步、激光开槽，于硅片背面进行激光开槽；

第九步、丝网印刷，于硅片背面进行正电极点、堵孔导电浆料负极点、铝背场和正面栅线印刷；

第十步、烧结，烧结固化硅片正、背面浆料，形成良好的欧姆接触。

5.根据权利要求4所述MWT太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述第一步中，打孔形成直径为0.1-0.3mm的圆形孔洞。

6.根据权利要求4所述MWT太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述第三步中，扩散温度为800-850℃，扩散时间为50-90min，方阻为70-100Ω/□。

7.根据权利要求4所述MWT太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述第五步中，氧化退火温度为650-800℃。

8.根据权利要求4所述MWT太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述第六步中，使用PECVD或ALD沉积Al₂O₃钝化层，Al₂O₃钝化层的厚度为3-30nm；所述氮化硅钝化减反射膜的厚度为80-150nm。

9.根据权利要求4所述MWT太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述第七步中，减反射膜的膜厚为60-90nm，折射率2.0-2.3。

10.根据权利要求4所述MWT太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述第八步中，开槽宽度为40-100μm，间距1.0-5.0mm。