[发明专利]一种存储器电压测试的测试装置、芯片及方法

说明书

本公开涉及一种存储器电压测试的测试装置、芯片及方法，其中，装置包括：电压调节器和控制处理器，电压调节器和控制处理器均连接于存储器；电压调节器，用于输出电压给存储器，调节存储器的第一供电电压和第二供电电压；控制处理器，用于对存储器进行数据的写入和读取，并根据数据写入和读取所得到的比较结果，控制电压调节器的输出电压，以及得到由第一供电电压和第二供电电压产生的最大电压差。通过电压调节器和控制处理器之间的相互配合，根据本公开实施例的存储器电压测试的测试装置、芯片及方法，能够自动且高精度地测量存储器的第一供电电压与第二供电电压之间产生的最大电压差。

技术领域

本公开涉及存储器领域，尤其涉及一种存储器电压测试的测试装置、芯片及方法。

背景技术

静态随机存储器(SRAM)广泛应用于我们的日常生活的电子产品里面，低功耗是便携式电子产品中一项非常重要的指标。双轨供电SRAM由两个电源提供电流：VDDP给SRAM的外围电路提供电流，VDDC则只给SRAM存储阵列提供电流。由于可以分别调整VDDP与VDDC的电压大小，带有双轨供电电源特性的SRAM存储器具有很好的低功耗性能。因此，双轨供电SRAM在SoC(System of Chip，芯片级系统)系统中的应用量也就越来越大。

但是，采用双轨电源给SRAM供电的方式中的VDDP与VDDC之间的电压差(ΔV＝VDDP-VDDC或者ΔV＝VDDC-VDDP)一旦过大，会造成SRAM不能正常工作。因此，在SRAM设计时，设计工程师会根据VDDP与VDDC之间电压差值的规格要求来设计电路。

传统的测试做法是通过外部测试机台分别提供VDDP与VDDC给SRAM，再通过写入与读取存储单元，确定ΔV的最大值。由于每次的VDDP或者VDDC的电压值的调节与每一次对存储单元的读和写只能通过外部机台来操作，测试效率很低；而且由于芯片内部的电源走线的匹配问题以及从外部测试机台的电源输出端到芯片的电源输入端通路的电压降的匹配问题，从外部测试机台量测到ΔV的精确度较低，偏差往往会达到30％以上。

发明内容

有鉴于此，本公开提出了一种存储器电压测试的测试装置、芯片及方法，能够自动且高精度地测量存储器的第一供电电压与第二供电电压之间产生的最大电压差。

根据本公开的第一方面，提供了一种存储器电压测试的测试装置，所述装置包括电压调节器和控制处理器，所述电压调节器和所述控制处理器均连接于所述存储器；所述电压调节器，用于输出电压给所述存储器，调节所述存储器的第一供电电压和第二供电电压；所述控制处理器，用于对所述存储器进行数据的写入和读取，并根据数据写入和读取所得到的比较结果，控制所述电压调节器的输出电压，以及得到由所述第一供电电压和所述第二供电电压产生的最大电压差。

在一种可能的实现方式中，所述控制处理器包括数据比较器和BIST控制电路，所述数据比较器的输入端与所述存储器的输出端连接，所述BIST控制电路的输入端与所述数据比较器的输出端连接，所述BIST控制电路的输出端分别与所述电压调节器的输入端和所述存储器的输入端连接；其中，所述数据比较器，用于读取存储器的数据，得到第一数据，将所述第一数据与写入存储器的第二数据进行比较，生成所述比较结果；所述BIST控制电路，用于根据所述比较结果，控制所述电压调节器的输出电压，以及确定所述最大电压差。

在一种可能的实现方式中，所述BIST控制电路的输出端还与所述数据比较器的输入端连接，用于向所述数据比较器发送使能信号。

在一种可能的实现方式中，所述BIST控制电路在所述比较结果为一致时控制所述电压调节器调节输出电压；在所述比较结果为不一致时控制所述电压调节器保持当前的输出电压不变，确定所述最大电压差。

在一种可能的实现方式中，所述电压调节器根据所述控制处理器的控制信号，增加所述第一供电电压与所述第二供电电压之间的供电电压差值。