[发明专利]一种用于磷酸机台温度控制的管路设备有效
申请号: | 201811607210.1 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN109698148B | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 冯宇培;侯宗武;刘厥扬 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;F17D1/08;F17D3/01 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 磷酸 机台 温度 控制 管路 设备 | ||
本发明提供一种用于磷酸机台温度控制的管路设备,直供槽的第一进液口与第一缓冲槽的出液口连接;直供槽的出液口与其第二进液口连接构成主循环回路,该回路中连接有数个作业腔;作业腔连接有第一、第二开关阀;第一开关阀连接一排放口;第二开关阀与回收槽的进液口连接;第二缓冲槽;回收槽出液口与第二缓冲槽进液口连接;第二缓冲槽出液口连接于第一缓冲槽出液口与直供槽的第一进液口之间的管路;第二缓冲槽出液口与直供槽的第一进液口之间的管路上设有冷却装置。本发明通过在第二缓冲槽与直供槽之间的管路上增加冷却装置,降低磷酸进直供槽的初始温度,减少缓冲槽与直供槽之间的温度差,有效的控制了直供槽中磷酸的温度,报警概率降低。
技术领域
本发明涉及一种半导体制造设备,特别是涉及一种用于磷酸机台温度控制的管路设备。
背景技术
如图1所示,图1显示为现有技术中的磷酸机台药液循环装置示意图。该装置中包含:具有进液口和出液口的第一缓冲槽6;具有第一、第二进液口及出液口的直供槽9;所述第一缓冲槽6的进液口和出液口分别连接有管路;所述直供槽9的第一进液口通过管路与所述第一缓冲槽6的出液口连接;所述直供槽9的出液口通过管路与其第二进液口连接构成主循环回路10,该主循环回路10的管路中连接有数个作业腔5;所述作业腔5连接有第一、第二开关阀4;所述第一开关阀4连接一排放口11;设有进液口和出液口的回收槽8;所述第二开关阀4通过管路与所述回收槽8的进液口连接;具有进液口和出液口的第二缓冲槽7;所述回收槽8的出液口通过管路与所述第二缓冲槽7的进液口连接;所述第二缓冲槽7的出液口连接于所述第一缓冲槽6的出液口与所述直供槽9的第一进液口之间的管路。缓冲槽中的H3PO4通过管路自然冷却进入药液直供槽,再在药液直供槽进行再度控温,达到工艺温度。目前药液直供槽负责工艺温度在142℃,磷酸药液缓冲槽中的H3PO4为163℃,中间有20℃的差距。一旦机台持续作业,很容易因为H3PO4使用量过大,磷酸药液缓冲槽供入药液直供槽的磷酸过快,导致温度控制不佳,超出设定值,发生报警。此时,机台连续作业停止,重新控温后,再继续作业,增加工艺风险,也降低制品流通速度。
因此,需要提出一种新的装置来解决上述问题。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种用于磷酸机台温度控制的管路设备,用于解决现有技术中由于机台持续作业,H3PO4使用量过大,磷酸药液缓冲槽供入药液直供槽的磷酸过快,导致温度控制不佳,超出设定值,发生报警。机台重新控温后,增加工艺风险,降低制品流通速度的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种用于磷酸机台温度控制的管路设备,该设备至少包括:具有进液口和出液口的第一缓冲槽;具有第一、第二进液口及出液口的直供槽;所述第一缓冲槽的进液口和出液口分别连接有管路;所述直供槽的第一进液口通过管路与所述第一缓冲槽的出液口连接;所述直供槽的出液口通过管路与其第二进液口连接构成主循环回路,该主循环回路的管路中连接有数个作业腔;所述作业腔连接有第一、第二开关阀;所述第一开关阀连接一排放口;设有进液口和出液口的回收槽;所述第二开关阀通过管路与所述回收槽的进液口连接;具有进液口和出液口的第二缓冲槽;所述回收槽的出液口通过管路与所述第二缓冲槽的进液口连接;所述第二缓冲槽的出液口连接于所述第一缓冲槽的出液口与所述直供槽的第一进液口之间的管路;所述第二缓冲槽的出液口与所述直供槽的第一进液口之间的管路上设有冷却装置。
优选地,所述管路中具有磷酸。
优选地,所述主循环回路的管路中连接有4个所述作业腔。
优选地,所述冷却装置包括冷凝管和与该冷凝管的两端分别连接的进液口和出液口。
优选地,所述冷凝管套设于所述第二缓冲槽的出液口与所述直供槽的第一进液口之间的管路外围。
优选地,所述冷却装置中具有去离子水。
优选地,所述去离子水在所述冷凝管一端的进液口中的温度为25摄氏度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造