[发明专利]柔性发光装置及其制作方法

说明书

本发明提供了一种柔性发光装置及其制作方法，该柔性发光装置包括柔性封装基板、第一电极、第二电极及发光芯片，所述柔性封装基板包括铝基底、经过氮化处理形成于所述铝基底上的第一氮化铝膜层及形成于所述第一氮化铝膜层上的第二氮化铝膜层，所述第一电极、所述第二电极及所述发光芯片形成于所述第二氮化铝膜层上，所述发光芯片与所述第一电极及所述第二电极电连接。该柔性发光装置具有较好的导热性能。该柔性发光装置的柔性封装基板具有较好的结合力。

技术领域

本发明涉及柔性技术领域，尤其是一种柔性发光装置及其制作方法。

背景技术

柔性发光装置因其具有柔性，能够适应于各种形状，因而被越来越广泛的应用，氮化铝(AlN)是一种重要Ⅲ-Ⅴ族氮化物，具有稳定的纤锌矿结构，是柔性封装基板的良好的材料。现有工艺制备氮化铝薄膜的方法主要有反应磁控溅射法、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)和脉冲激光沉积(PLD)等。这些工艺产生的沉积离子能量较低，AlN薄膜与基材的结合力较小，在对可靠性比较高的柔性氮化铝薄膜器件中往往存在可靠性低，容易分层的问题，导致器件性能恶化。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种柔性发光装置及其制作方法，该柔性发光装置的柔性封装基板具有较好的结合力。

本发明提供了一种柔性发光装置，包括柔性封装基板、第一电极、第二电极及发光芯片，所述柔性封装基板包括铝基底、经氮化处理形成于所述铝基底上的第一氮化铝膜层及形成于所述第一氮化铝膜层上的第二氮化铝膜层，所述第一电极、所述第二电极及所述发光芯片形成于所述第二氮化铝膜层上，所述发光芯片与所述第一电极及所述第二电极电连接。

进一步地，所述柔性发光装置还包括透明封装层，所述透明封装层封装于所述第一电极、所述第二电极及所述发光芯片外。

进一步地，所述第二氮化铝膜层为通过沉积工艺形成的第二氮化铝膜层。

进一步地，所述柔性封装基板还包括衬底层，所述铝基底设置于所述衬底层上。

进一步地，所述衬底层为铝箔，所述衬底层与所述铝基底形成于一体。

进一步地，所述衬底层为铝合金，所述铝基底形成于所述铝合金衬底层上。

进一步地，所述衬底层为非铝金属箔，所述柔性封装基板还包括第一过渡膜层及第二过渡膜层，所述第一过渡膜层设置于所述衬底层上，所述第二过渡膜层形成于所述第一过渡膜层上，所述第一过渡膜层为与衬底层同材质金属形成的膜层，所述第二过渡膜层为铝与衬底层同材质金属的合金的膜层。

进一步地，所述第一过渡膜层为由于所述衬底层同材质的金属在所述衬底层上通过沉积工艺形成的膜层，所述第二过渡膜层为由在所述第一过渡膜层上通过磁过滤多弧离子镀方法沉积所述铝基底时同时形成的膜层。

进一步地，所述柔性发光装置还包括柔性高分子膜层，所述衬底层设置于所述柔性高分子膜层上。

进一步地，所述发光芯片为LED芯片。

本发明还提供了一种柔性发光装置的制作方法，包括如下步骤：

提供铝基底；

在所述铝基底上通过氮化处理的工艺形成第一氮化铝膜层；

在所述第一氮化铝膜层上形成第二氮化铝膜层，以形成柔性封装基板；

在所述柔性封装基板上设置第一电极、第二电极及发光芯片，并使所述发光芯片与所述第一电极及所述第二电极电连接。

进一步地，在所述发光芯片、所述第一电极及所述第二电极外形成透明封装层

进一步地，在所述第一氮化铝膜层上通过沉积工艺形成所述第二氮化铝膜层。