[发明专利]柔性发光装置及其制作方法

权利要求书

1.柔性发光装置，其特征在于：包括柔性封装基板、第一电极、第二电极及发光芯片，所述柔性封装基板包括铝基底、经氮化处理形成于所述铝基底上的第一氮化铝膜层及形成于所述第一氮化铝膜层上的第二氮化铝膜层，所述第一电极、所述第二电极及所述发光芯片形成于所述第二氮化铝膜层上，所述发光芯片与所述第一电极及所述第二电极电连接，所述柔性封装基板还包括衬底层，所述铝基底设置于所述衬底层上，所述衬底层为非铝金属箔，所述柔性封装基板还包括第一过渡膜层及第二过渡膜层，所述第一过渡膜层设置于所述衬底层上，所述第二过渡膜层形成于所述第一过渡膜层上，所述第一过渡膜层为与衬底层同材质金属形成的膜层，所述第二过渡膜层为铝与衬底层同材质金属的合金的膜层。

2.如权利要求1所述的柔性发光装置，其特征在于：所述柔性发光装置还包括透明封装层，所述透明封装层封装于所述第一电极、所述第二电极及所述发光芯片外。

3.如权利要求1所述的柔性发光装置，其特征在于：所述第二氮化铝膜层为通过沉积工艺形成的第二氮化铝膜层。

4.如权利要求1所述的柔性发光装置，其特征在于：所述第一过渡膜层为由于所述衬底层同材质的金属在所述衬底层上通过沉积工艺形成的膜层，所述第二过渡膜层为由在所述第一过渡膜层上通过磁过滤多弧离子镀方法沉积所述铝基底时同时形成的膜层。

5.如权利要求1所述的柔性发光装置，其特征在于：所述柔性发光装置还包括柔性高分子膜层，所述衬底层设置于所述柔性高分子膜层上。

6.如权利要求1所述的柔性发光装置，其特征在于：所述发光芯片为LED芯片。

7.柔性发光装置的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：

提供铝基底；

在所述铝基底上通过氮化处理的工艺形成第一氮化铝膜层；

在所述第一氮化铝膜层上形成第二氮化铝膜层，以形成柔性封装基板；

在所述柔性封装基板上设置第一电极、第二电极及发光芯片，并使所述发光芯片与所述第一电极及所述第二电极电连接；

该方法还包括提供衬底层，并使所述铝基底形成于所述衬底层上；

当所述衬底层为非铝材质金属时，该方法还包括：

通过沉积工艺在所述衬底层上形成第一过渡膜层，所述第一过渡膜层为与所述衬底层同材质金属形成的膜层；

通过磁过滤多弧离子镀在所述第一过渡膜层上沉积所述铝基底，同时在所述铝基底与所述第一过渡膜层之间形成第二过渡膜层，所述第二过渡膜层为与所述衬底层同材质金属及铝的合金形成的膜层。

8.如权利要求7所述的柔性发光装置的制作方法，其特征在于：当形成所述氮化铝膜层是，该方法还包括：在所述发光芯片、所述第一电极及所述第二电极外形成透明封装层。

9.如权利要求7所述的柔性发光装置的制作方法，其特征在于：在所述第一氮化铝膜层上通过沉积工艺形成所述第二氮化铝膜层。

10.根据权利要求7所述的柔性发光装置的制作方法，其特征在于：该方法还包括提供柔性高分子膜层，并使所述衬底层形成于所述柔性高分子膜层上。