[发明专利]返工方法以及酸性清洗液

说明书

提供一种返工方法与能够适合用于该返工方法的酸性清洗液，该返工方法在表面具备包含含硅材料的下层膜的基板中，除去形成在下层膜上的图案化的有机树脂膜从而进行返工时，能够抑制对下层膜的损伤，并且从下层膜上良好地剥离有机树脂膜。在表面具备包含含硅材料的下层膜的基板中，除去形成在下层膜上的图案化的有机树脂膜从而进行返工时，使用包含可卤代的烷基磺酸的酸性清洗液进行有机树脂膜的除去。

技术领域

本发明涉及返工(rework)方法与能够适合使用于该返工方法的酸性清洗液，所述返工方法是在表面具备包含含硅材料的下层膜的基板中，除去形成在下层膜上的图案化的有机树脂膜从而进行返工的方法。

背景技术

例如，在制造半导体产品等的过程中，出于各种目的在硅等的半导体基板上形成图案化的有机树脂膜。然而，在进行有机树脂膜的图案化时，存在有机树脂膜的位置或者尺寸产生偏差等的、有机树脂膜图案化失败的情况。

若在这种情况下直接继续进行半导体产品等的制造，则会造成制造出不良产品的结果。在该情况下，不仅白白消耗了基板，并且浪费了制造不良产品所需的时间与劳动力。

因此，在这种情况下，进行所谓的返工作业，将具有不良状况的有机树脂膜从基板上剥离，从而对基板进行翻新。

作为返工方法，例如提出有对于依次层叠了硅树脂膜与光致抗蚀剂膜的基板，保留硅树脂膜而除去光致抗蚀剂膜的方法(参照专利文献1)。在专利文献1所记载的方法中，使用溶剂对光致抗蚀剂膜进行除去。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-165838号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

然而，在如专利文献1所记载的那样使用溶剂对光致抗蚀剂膜进行除去的情况下，存在如下问题：因光致抗蚀剂膜的种类的不同，可能未必能够良好地除去光致抗蚀剂膜，或者若不花费较长时间则不能够良好地除去光致抗蚀剂膜。

对此，例如存在通过使用市售的碱性清洗液，能够在短时间内在一定程度上良好地除去光致抗蚀剂膜的情况。但是在该情况下，在由硅树脂膜那样的含硅材料构成的下层膜中可能会容易产生损伤。

本发明是鉴于上述技术问题而提出的，目的是提供一种返工方法以及能够适合用于该返工方法的酸性清洗液，所述返工方法在表面具备包含含硅材料的下层膜的基板中，除去形成在下层膜上的图案化的有机树脂膜从而进行返工时，能够抑制对下层膜的损伤，并且能够良好地从下层膜上剥离有机树脂膜。

用于解决技术问题的方案

本发明人发现，在表面具备包含含硅材料的下层膜的基板中，除去形成在下层膜上的图案化的有机树脂膜从而进行返工时，通过使用包含可卤代的烷基磺酸的酸性清洗液进行有机树脂膜的除去，能够解决上述技术问题，从而完成了本发明。更具体而言，本发明提供以下内容。

本发明的第1方案，是基板的返工方法，该返工方法包括：

在基板上形成包含含硅材料的下层膜；

在下层膜上形成图案化的有机树脂膜；

通过酸性清洗液从下层膜上除去有机树脂膜，

酸性清洗液包含烷基磺酸，

烷基磺酸所具有的烷基中的氢原子的至少一部分可以被卤原子取代。

本发明的第2方案，是一种酸性清洗液，在第1方案所述的基板的返工方法中，用于从下层膜上除去有机树脂膜，

酸性清洗液包含烷基磺酸，

烷基磺酸所具有的烷基中的氢原子的至少一部分可以被卤原子取代。