[发明专利]溅射系统和沉积方法

说明书

本发明提供一种溅射系统，包括至少两个溅射腔，每个所述溅射腔内均设置有依次排列的多个靶材安装座，所述靶材安装座用于安装靶材，所述溅射系统用于在执行溅射工艺时分别在不同的溅射腔内设置预定数量的靶材，在任意一个溅射腔内，预定数量的靶材分别设置在预定数量的靶材安装座上，并且在同一个溅射腔内，相邻两个靶材之间的间隔足以容纳至少一个所述靶材，以使得不同的溅射腔内的靶材在同一个待溅射的基板的沉积面上的不同位置处沉积材料。本发明还提供一种沉积方法，利用所述溅射系统执行所述沉积方法可以在基板上获得厚度均匀的膜层，并且减少颗粒的产生。

技术领域

本发明涉及一种溅射系统和一种利用该溅射系统在基板上沉积薄膜的沉积方法。

背景技术

在微电子加工领域，通常需要在基板上沉积形成一整层膜层，然后对膜层进行图形化，获得需要的元件。

其中，磁控溅射是一种常见的沉积成膜方法。为了在基板上获得厚度均匀的膜层，通常会在沉积时移动基板或靶材。

但是，在沉积膜层时移动基板或靶材虽然可以在基板上形成厚度均匀的膜层，但是也容易产生颗粒，最终造成产品的不良。

因此，如何在保证膜层均匀的情况下减少颗粒的产生成为本领域亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种溅射系统和一种利用该溅射系统在基板上沉积薄膜的沉积方法。利用所述溅射系统在基板上沉积膜层既可以获得厚度均匀的膜层又可以减少颗粒的产生。

为了实现上述目的，作为本发明的一个方面，提供一种溅射系统，其特征在于，所述溅射系统包括至少两个溅射腔，每个所述溅射腔内均设置有依次排列的多个靶材安装座，所述靶材安装座用于安装靶材，所述溅射系统用于在执行溅射工艺时分别在不同的溅射腔内设置预定数量的靶材，在任意一个溅射腔内，预定数量的靶材分别设置在预定数量的靶材安装座上，并且在同一个溅射腔内，相邻两个靶材之间的间隔足以容纳至少一个所述靶材，以使得不同的溅射腔内的靶材在同一个待溅射的基板的沉积面上的不同位置处沉积材料，并且，所述待溅射的基板依次在各个溅射腔内溅射完成后能够在所述沉积面上获得连续的、各处厚度差不超过预定值的目标膜层。

优选地，在任意一个所述溅射腔内，相邻两个靶材安装座之间形成有间隔，该间隔足以设置至少一个靶材安装座。

优选地，在任意一个所述溅射腔内，相邻两个所述靶材安装座之间的间隔中设置有阳极棒。

优选地，每个所述溅射腔中均设置有能够移动的基板安装座，所述基板安装座用于承载待溅射的基板。

优选地，所述溅射系统包括两个所述溅射腔。

优选地，同一个所述溅射腔内，相邻两个靶材安装座之间的间隔能够设置一个靶材安装座。

优选地，所述溅射系统包括依次排列的摇摆机构、预真空腔、高真空腔以及多个所述溅射腔，其中，

所述摇摆机构用于将水平状态的基板转动为竖直状态的基板并送入所述预真空腔中；

所述预真空腔用于对所述基板进行预抽真空处理；

所述高真空腔用于对经过预抽真空处理的基板进行进一步真空处理。

优选地，所述靶材安装座用于安装柱状的靶材，以在所述沉积面上形成与所述柱状的靶材相对应的矩形的溅射区。

作为本发明的第二个方面，提供一种利用本发明所提供的上述溅射系统在基板上沉积膜层的沉积方法，其中，所述沉积方法包括：

在各个溅射腔内预定数量个靶材安装座上分别安装材料相同的靶材，且在同一个溅射腔内，相邻两个靶材之间的间隔足以容纳至少一个所述靶材；