[发明专利]一种太阳能电池的封装结构及封装方法在审
申请号: | 201811592632.6 | 申请日: | 2018-12-25 |
公开(公告)号: | CN111435687A | 公开(公告)日: | 2020-07-21 |
发明(设计)人: | 陶海全;方振雷;杨成涛;刘鑫 | 申请(专利权)人: | 汉能移动能源控股集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;B32B37/06;B32B37/10 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人: | 张拥 |
地址: | 100107 北京市朝阳*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 封装 结构 方法 | ||
本发明公开了一种太阳能电池的封装结构及封装方法,本发明的封装结构包括由下到上依次层叠的光伏背板、太阳能电池芯片、光伏前板以及设置在所述太阳能电池芯片和所述光伏前板之间的第一PVA薄膜。本发明的封装方法为:按照所述的封装结构层叠,形成待层压太阳能组件,将待层压的太阳能组件放入层压机中,经过升温阶段,抽真空阶段,加压第一阶段,加压第二阶段,加压第三阶段,冷却阶段,形成一个整体。本发明的封装结构和封装方法能够降低太阳能电池芯片受水汽侵蚀的影响,提高太阳能电池的使用寿命,降低太阳能电池组件在使用期间的功率衰减。
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域,特别是指一种太阳能电池的封装结构及封装方法。
背景技术
由于太阳能电池芯片在制备之后易受外界温湿度和氧气的影响,如果不进行封装,尤其在空气中长期使用,易受水汽侵蚀和氧气氧化绝缘并腐蚀穿孔,导致电池短路或者内阻增加致使电池效率降低,从而缩短了电池的使用寿命。
因此封装是决定电池寿命的主要因素,现有的太阳能电池的封装结构,如图1所示,100-磨砂保护膜,200-粘结层,300-阻水膜,400-前封装胶膜,500-薄膜电池芯片,600-后封装胶膜,700-光伏背板。但是现有的太阳能电池的封装结构,往往只考虑阻挡水汽渗入电池,但是往往事情无决定性,长时间的使用无法完全避免电池芯片遭受水汽侵蚀,难以保证电池的超长寿命,长期使用过程中功率衰减的问题。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提出一种太阳能电池的封装结构及封装方法,本发明的封装结构和封装方法能够降低太阳能电池芯片受水汽侵蚀的影响,提高太阳能电池的使用寿命,降低太阳能电池组件在使用期间的功率衰减。
基于上述目的,本发明提供的一种太阳能电池的封装结构,包括由下到上依次层叠的光伏背板、太阳能电池芯片及光伏前板,以及设置在所述太阳能电池芯片和所述光伏前板之间的第一PVA(聚乙烯醇)薄膜。
在本发明的一些实施例中,所述封装结构还包括设置在所述太阳能芯片和所述光伏背板之间的第二PVA薄膜。
在本发明的一些实施例中,所述封装结构还包括密封胶条,所述密封胶条的上端面环绕设置在所述光伏前板的边缘,所述密封胶条的下端面环绕设置在所述光伏背板的边缘。
在本发明的一些实施例中,所述光伏前板为超白浮法玻璃;
和/或,所述光伏背板为钢化玻璃。
在本发明的一些实施例中,所述光伏前板的厚度为4-5mm;
和/或,所述第一PVA薄膜的厚度为200-500μm;
和/或,所述光伏背板的厚度为3.2-4mm。
在本发明的一些实施例中,所述第二PVA薄膜的厚度为200-500μm。
本发明还提供了一种太阳能电池的封装方法,按照上述的封装结构进行层叠,形成待层压太阳能组件,将待层压的太阳能组件放入层压机中,包括以下步骤:
升温阶段,开始层压机加热部分,控制升温温度范围120~160℃;
抽真空阶段,敷设合片完成的待层压太阳能组件进入层压机内腔后抽真空,抽真空时间400~800S,真空度为5~25Pa;
加压第一阶段,对太阳能组件进行加压,压力为-75~-65kPa,加压时间120~240S;
加压第二阶段,对太阳能组件继续进行加压,压力为-45~-55kPa,加压时间120~240S;
加压第三阶段,对太阳能组件继续进行加压,压力为-45~-35kPa,加压时间720~960S;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的