[发明专利]一种抗静电渗花陶瓷釉料及其应用

权利要求书

1.一种抗静电渗花陶瓷釉料，其特征在于：所述釉料由以下质量份数的组分组成：40～60份SiO₂、10～20份Al₂O₃、0.5～10份Sb₂O₃、1～5份K₂O、0.5～2份Na₂O、2～8份ZrO₂、0.1～1份ZnO、2～8份CaO、3～5份MgO和0.5～3份助色剂。

2.根据权利要求1所述的釉料，其特征在于：所述釉料的组分为：45～55份SiO₂、12～15份Al₂O₃、1～8份Sb₂O₃、1～3份K₂O、0.5～1份Na₂O、3～5份ZrO₂、0.1～0.5份ZnO、3～5份CaO、3～4份MgO和0.5～2份助色剂。

3.根据权利要求2所述的釉料，其特征在于：所述釉料的组分为：50份SiO₂、13份Al₂O₃、3份Sb₂O₃、2份K₂O、0.8份Na₂O、3.5份ZrO₂、0.3份ZnO、3.5份CaO、4份MgO和1.5份助色剂。

4.根据权利要求1～3任意一项所述的釉料，其特征在于：所述助色剂为超细二氧化硅，所述超细二氧化硅的原生粒径≤500nm，比表面积≥10m²/g。

5.根据权利要求4所述的釉料，其特征在于：所述超细化二氧化硅的原生粒径介于10nm～80nm之间，比表面积介于10m²/g～100m²/g。

6.一种抗静电渗花陶瓷的制备方法，包括如下步骤：

1)在胚体上布施釉料，得陶坯；

2)待陶坯干燥后，在陶坯上喷印渗花墨水、烧制、抛光，得抗静电渗花陶瓷，其中，步骤1)中所述的釉料为权利要求1～5任意一项所述的釉料。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述步骤1)中布施釉料的厚度为0.2～0.4mm。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述步骤2)中的烧制温度为1050～1400℃，烧制时间为0.5～3h。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于：所述骤2)中的烧制温度为1100～1200℃。烧制温度为0.5～2h。

10.一种抗静电渗花陶瓷，其特征在于：所述陶瓷中包含釉层，所述釉层由权利要求1～5任意一项权利要求所述的抗静电渗花釉料形成；或按权利要求6～8任意一项权利要求所述的制备方法制备得到。