[发明专利]一种光束成像装置有效
| 申请号: | 201811587448.2 | 申请日: | 2018-12-24 |
| 公开(公告)号: | CN109449265B | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
| 发明(设计)人: | 田立飞;刘敬伟;姜磊 | 申请(专利权)人: | 国科光芯(海宁)科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 李博洋 |
| 地址: | 314400 浙江省嘉兴市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 光束 成像 装置 | ||
1.一种光束成像装置,其特征在于,包括:
衬底层;
至少一个光波产生单元,设置在所述衬底层的上方,与所述衬底层接触,所述光波产生单元包括依次层叠设置的第一类型导电层、第一电极层和第一图形层、第二类型导电层以及第二电极层,所述第一图形层用于复合所述第一类型导电层的载流子和所述第二类型导电层的载流子,产生光波并传输所述光波;
至少一个第二图形层,与所述光波产生单元间隔设置在所述衬底层的上方,与所述衬底层接触;
所述第一图形层的禁带宽度小于与所述第一图形层相邻层的禁带宽度,和/或所述第二图形层的禁带宽度小于与所述衬底层的禁带宽度。
2.根据权利要求1所述的光束成像装置,其特征在于,所述第一类型导电层和/或所述第二类型导电层的禁带宽度不小于2.3eV。
3.根据权利要求1所述的光束成像装置,其特征在于,
所述第一图形层的折射率大于与所述第一图形层相邻层的折射率,和/或所述第二图形层大于与所述衬底层的折射率。
4.根据权利要求3所述的光束成像装置,其特征在于,所述第一图形层的折射率和/或所述第二图形层的折射率高于2.3eV。
5.根据权利要求1-4任一项所述的光束成像装置,其特征在于,还包括:依次层叠于所述第二图形层上方的导热层和第三电极层。
6.根据权利要求5所述的光束成像装置,其特征在于,所述第一类型导电层为n型层,所述第二类型导电层为p型层;或所述第一类型导电层为p型层,所述第二类型导电层为n型层,所述导热层与所述第一类型导电层或所述第二类型导电层的材料相同,所述第二图形层的材料与所述第一图形层的材料相同。
7.根据权利要求5所述的光束成像装置,其特征在于,所述导热层的至少一个侧面具有延伸部,所述延伸部与所述衬底层接触。
8.根据权利要求1-4任一项所述的光束成像装置,其特征在于,所述第一电极层与所述第一图形层并列设置在所述第一类型导电层的上方,与所述第一类型导电层接触。
9.根据权利要求8所述的光束成像装置,其特征在于,所述第一电极层与所述第一图形层之间的距离为5~50000nm。
10.根据权利要求1所述的光束成像装置,其特征在于,所述第一图形层和/或所述第二图形层包括多个图形单元,所述图形单元的间距为0~10μm,所述图形单元的形状为长方体、圆柱、圆锥或圆环中的任意一种。
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