[发明专利]一种单晶二氧化钒薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201811583090.6 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN109487338B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 徐晓峰;蒙奕帆;桑景新 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 | 代理人： | 黄志达 |
| 地址： | 201620 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单晶二 氧化 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种单晶二氧化钒薄膜的制备方法，包括：
（1）在c-Al2O3衬底上磁控溅射金属钒薄膜；其中磁控溅射为直流磁控溅射，具体为：靶材与基底之间的距离为180~200mm，衬底转速为18~21.8rad/min；镀膜前预溅射靶材10~15min，然后等待本底真空度为1.8×10-3Pa后，将氩气压调至1×10-1Pa，以130~140W的功率进行直流磁控溅射5~6min；
（2）将上述金属钒薄膜在空气中进行氧化处理，自然冷却，即得单晶二氧化钒薄膜；其中氧化处理分为升温段和降温段，其中升温段为：加热3-5s温度由室温升至450-470℃，保持60~120s；降温段为：冷却3-5s，温度降至200℃，保持20-50s。
2.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中c-Al2O3衬底为在（0006）单晶取向的c-Al2O3基片。
3.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中靶材为纯度大于99%的金属钒，靶材直径为60~61mm。
4.一种权利要求1所述方法制备的单晶二氧化钒薄膜。
5.根据权利要求4所述单晶二氧化钒薄膜，其特征在于，所述薄膜为单晶（020）取向的二氧化钒薄膜。
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