[发明专利]高压电和高介电低温共烧压电陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种高压电和高介电低温共烧压电陶瓷，其特征在于化学通式为：(Pb_1-qLa_q(Zr_1-xTi_x)_1-p(Zn_yNi_zNb_1-y-z)_pO₃)，其中，x＝0.4-0.6、y＝0.1-0.2、z＝0.1-0.2、P＝0.3-0.5、q＝0-0.1。

2.一种制备权利要求1所述的高压电和高介电低温共烧压电陶瓷的方法，其特征在于方法如下：

1)将23-28mol％Pb₃O₄、16-35mol％ZrO₂、15-35mol％TiO₂、2-10mol％NiO、7-16mol％Nb₂O₅、0-5mol％La₂O₃、2-10mol％ZnO的原料混合，球磨至平均粒径为1-2微米，得混合料；

2)将所述混合料在800-900℃条件下预烧2h，得瓷粉；

3)向所述瓷粉中加入0.3-1wt％CuO，球磨至平均粒径为0.55μm，得二次球磨瓷粉；

4)向所述二次瓷粉加入8wt％PVA，造粒、压制成φ12×1mm的片状生坯，所述PVA的浓度为8％；

5)将所述生坯放入烧结炉中，600℃条件下排胶1h，然后在900-960℃条件下烧结3-5h，得低温共烧陶瓷材料；

6)将所述低温共烧陶瓷材料被银，然后在750℃条件下烧银20min，得被银片；

7)将所述被银片置于80℃的二甲基硅油中，施加3.5KV/mm的电场强度极化25min。