[发明专利]存储器单元阈值电压的非接触式测量

说明书

本申请针对存储器单元阈值电压的非接触式测量。描述包含在一或多个中间制造阶段用于存储器单元阈值电压的非接触式测量的方法、系统和装置。一个存取线可接地且与一或多个存储器单元耦合。所述一或多个存储器单元中的每一个可与对应的浮动存取线耦合。可用电子束扫描浮动存取线，所述电子束被配置成将所述浮动存取线设定为经扫描位线处的特定表面电压，且可基于将所述经扫描位线设定为所述表面电压是否致使可检测量的电流流动穿过对应的存储器单元来确定所述对应的存储器单元的阈值电压。

交叉参考

本专利申请要求Majumdar等人在2017年12月20日提交的标题为“存储器单元阈值电压的非接触式测量(Non-Contact Measurement of Memory Cell Threshold Voltage)”的第15/849,262号美国专利申请的优先权，所述专利申请转让给本受让人且以全文引用的方式明确地并入本文中。

技术领域

本技术领域涉及存储器单元阈值电压的非接触式测量。

背景技术

下文大体上涉及操作存储器阵列，且更确切地说涉及存储器单元阈值电压的非接触式测量。

存储器装置广泛地用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过对存储器装置的不同状态进行编程来存储信息。举例来说，二进制装置具有两个状态，通常标示为逻辑“1”或逻辑“0”。在其它系统中，可存储两个以上状态。为了存取所存储信息，电子装置的组件可读取或感测存储器装置中所存储的状态。为了存储信息，电子装置的组件可写入或编程存储器装置中的状态。

存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(random accessmemory，RAM)、只读存储器(read only memory，ROM)、动态RAM(dynamic RAM，DRAM)、同步动态RAM(synchronous dynamic RAM，SDRAM)、铁电RAM(ferroelectric RAM，FeRAM)、磁性RAM(magnetic RAM，MRAM)、电阻式RAM(resistive RAM，RRAM)、快闪存储器、相变存储器(phasechange memory，PCM)等。存储器装置可以是易失性或非易失性的。非易失性存储器，例如FeRAM，可维持其所存储的逻辑状态很长一段时间，即使无外部电源存在也是这样。易失性存储器装置(例如，DRAM)除非被外部电源定期刷新，否则可能随时间推移而丢失其存储的状态。FeRAM可使用与易失性存储器类似的装置架构，但归因于使用铁电电容器作为存储装置而可具有非易失性特性。因此，与其它非易失性和易失性存储器装置相比，FeRAM装置可具有改进的性能。

一些存储器装置可包含展现阈值电压的存储器单元，且将状态写入到存储器单元可包含在存储器单元上产生超过阈值电压的电压。用于确定一或多个存储器单元的阈值电压的装置和技术可能是合乎需要的。

发明内容

在一个实例中，一种电子存储器设备或存储器装置包含：第一存取线，其与接地参考耦合；多个第二存取线，其各自与接地参考隔离；以及多个存储器单元，其各自配置成在与所述多个第二存取线的对应第二存取线相关联的电压超出阈值电压时将所述对应第二存取线与第一存取线耦合。

在一个实例中，一种电子存储器设备或存储器装置包含：处于所述设备的第一层级的第一组存取线，其中所述第一组的第一存取线与接地参考耦合，且所述第一组的第二存取线与接地参考隔离；处于所述设备的不同于所述第一层级的第二层级的第二组存取线，其中所述第二组中的每一存取线与接地参考隔离；以及所述第一层级和所述第二层级之间的一组存储器单元，其各自被配置成在所述第二组的对应存取线的电压超出阈值电压时将所述第一组的第一存取线与所述第二组的所述对应存取线耦合。