[发明专利]清洗装置及清洗方法

说明书

本发明提供了一种清洗装置及清洗方法，属于半导体技术领域。其中，清洗装置，包括多个清洗腔室以及将半导体元件在所述多个清洗腔室之间传送的传送机构，每个所述清洗腔室内设置有清洗槽，每个清洗腔室包括传送机构运动区域和清洗槽所在区域，所述清洗装置还包括：位于所述清洗腔室顶部、对应所述传送机构运动区域的第一风扇；位于所述清洗腔室顶部、对应所述清洗槽所在区域的第二风扇。通过本发明的技术方案，能够提高半导体元件的清洗效果，得到更加洁净的半导体元件。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是指一种清洗装置及清洗方法。

背景技术

随着半导体元件的日益精细化，在良率和可靠性方面，日益凸显了去除Particle(颗粒)和Metal(金属)粒子等不纯物质的重要性，Particle和金属粒子等杂质成了左右元件良率和元件性能的重要因素。

现阶段硅片的制造过程中，需要使用清洗装置对硅片进行洗涤。现有的清洗装置包括多个清洗腔室，每个清洗腔室包括一清洗槽，用来分别去除Particle或Metal等污染物，在清洗过程中，由传送机器人将硅片在各清洗腔室之间传送，为了保证清洗腔室内的洁净条件，会在清洗腔室顶部设置风扇，利用风扇形成自上而下的气流，使得清洗腔室内的污染物通过清洗腔室的出风口排出。

但是，在硅片的传送过程中，由于传送机器人的持续机械运动，会导致清洗腔室内机器人运动区域的污染物浓度高于清洗槽所在区域的污染物浓度，同时为了避免气流过大影响硅片表面的亲水性，风扇的风量设置的比较小，这样会导致传送机器人运动区域的污染物不能完全排出，并有可能流进清洗槽内部，进而污染清洗槽内的硅片。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种清洗装置及清洗方法，能够提高半导体元件的清洗效果，得到更加洁净的半导体元件。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种清洗装置，包括多个清洗腔室以及将半导体元件在所述多个清洗腔室之间传送的传送机构，每个所述清洗腔室内设置有清洗槽，每个清洗腔室包括传送机构运动区域和清洗槽所在区域，所述清洗装置还包括：

位于所述清洗腔室顶部、对应所述传送机构运动区域的第一风扇；

位于所述清洗腔室顶部、对应所述清洗槽所在区域的第二风扇。

进一步地，所述清洗装置还包括：

调节所述第一风扇的风量的第一风量调节器；

调节所述第二风扇的风量的第二风量调节器。

进一步地，所述清洗装置还包括：

设置在所述传送机构运动区域和所述清洗槽所在区域之间的挡板。

进一步地，所述清洗装置还包括：

设置在所述第一风扇的出风口的第一过滤模块；

设置在所述第二风扇的出风口的第二过滤模块。

进一步地，所述第一过滤模块与所述第二过滤模块为一体结构。

进一步地，所述清洗装置还包括：

位于所述清洗腔室底部、对应所述传送机构运动区域的第一出风口。

进一步地，所述清洗装置还包括：

位于所述清洗腔室侧壁、靠近所述清洗槽上方的第二出风口。

进一步地，所述传送机构包括：

用于抓取所述半导体元件的机械手臂；

控制所述机械手臂的移动的传送控制器，所述传送控制器通过机械手臂卷带与所述机械手臂连接。