[发明专利]一种芯片的预处理方法及发电瓦的制备方法

说明书

本发明涉及光伏发电技术领域，具体涉及一种芯片的预处理方法及发电瓦的制备方法，包括如下步骤：将芯片的单面或两面敷设封装胶膜，分别得到单侧或双侧敷设封装胶膜的芯片；用薄膜对单侧或双侧敷设封装胶膜的芯片的四周进行包覆，形成半成品；将前板、半成品和背板依次叠放并进行层压，形成层压件；将层压件中的半成品从前板和背板之间取出，揭去薄膜，得到压有胶膜的成品芯片；其中，所述薄膜与胶膜不粘结，单侧敷设封装胶膜的芯片形成的半成品后，将半成品的封装胶膜朝向前板一侧，未敷设封装胶膜的芯片朝向后板一侧叠放并进行层压，本发明的预处理方法能够提高发电瓦的功率，使用寿命和成品率。

技术领域

本发明涉及光伏发电技术领域，具体涉及一种芯片的预处理方法及发电瓦的制备方法。

背景技术

光伏发电瓦是将光伏组件嵌入支撑结构，太阳能板与建筑材料结为一体，直接应用于屋顶，使得传统的建筑具有光伏发电功能，近年来，日益受到广泛关注。

为了增加光伏发电瓦的美观性，现有技术中采用将光伏发电瓦的前板玻璃上镀一层彩色膜层，制成彩色光伏发电瓦，以下简称彩瓦。然而由于光伏发电瓦为三曲面结构，彩色膜层(膜层主要成分为硅氧化物和钛氧化物)的存在打破了光伏发电瓦的力学平衡，使得芯片、胶膜和铝背板在加工过程中均会有应力存在，造成曲面结构的曲度逐渐下降，甚至最终恢复为平面结构，使得POE胶膜除去时也易将APA膜从芯片上撕开，而通常情况下芯片中的APA膜与芯片中的导线之间没有很好的粘结，导线周围存在很大的孔隙，从而当APA膜被撕开的同时也容易出现导线压不实的现象，使得光伏发电瓦的功率降低，同时影响光伏发电瓦的成品率和使用寿命，此外，原色的光伏发电瓦在制作过程中因温度不均匀，位置偏差或受力不均匀等因素的影响也会出现导线压不实的现象，使得光伏发电瓦的功率降低，成品率降低。

发明内容

因此，本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中的芯片绕线压不实而导致功率下降，成品率和使用寿命低的缺陷，从而提供一种芯片的预处理方法及发电瓦的制备方法。

本发明提供了一种芯片的预处理方法，包括如下步骤：

将芯片的单面或两面敷设封装胶膜，分别得到单侧或双侧敷设封装胶膜的芯片；

用薄膜对单侧或双侧敷设封装胶膜的芯片的四周进行包覆，形成半成品；

将前板、半成品和背板依次叠放并进行层压，形成层压件；

将层压件中的半成品从前板和背板之间取出，揭去薄膜，得到压有胶膜的成品芯片；

其中，所述薄膜与胶膜不粘结。

进一步地，单侧敷设封装胶膜的芯片形成的半成品后，将半成品的封装胶膜朝向前板一侧，未敷设封装胶膜的芯片朝向后板一侧叠放并进行层压。

进一步地，所述封装胶膜为EVA胶膜、POE胶膜或TPO胶膜；

所述薄膜为ETFE薄膜或PTFE薄膜；

所述前板和/或后板为平面钢化玻璃、硅胶垫、Al-PET板或不锈钢板。

优选地，所述芯片为串接好且连接有汇流条的芯片子串。

进一步地，胶膜的敷设厚度为0.1-0.5mm。

进一步地，胶膜不可将串焊好的芯片上的汇流带出线位置包裹。

优选地，在层压件温度降至50℃以下时，采用180度剥离方式揭去薄膜。

进一步地，在层压过程中，控制温度为100-180℃，压力为95-101Kpa，时间为10-60min。

进一步地，在层压过程中，控制温度为120-160℃，压力为97-100Kpa，时间为20-40min。