[发明专利]一种芯片的预处理方法及发电瓦的制备方法在审
| 申请号： | 201811547530.2 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN111331993A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 王凯隆;程晓龙;顾鸿扬 | 申请（专利权）人： | 汉能移动能源控股集团有限公司 |
| 主分类号： | B32B37/02 | 分类号： | B32B37/02;B32B37/06;B32B37/10;B32B37/12;B32B38/10;H01L31/048 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李博洋 |
| 地址： | 100107 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 预处理 方法 发电 制备 | ||
1.一种芯片的预处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
将芯片的单面或两面敷设封装胶膜，分别得到单侧或双侧敷设封装胶膜的芯片；
用薄膜对单侧或双侧敷设封装胶膜的芯片的四周进行包覆，形成半成品；
将前板、半成品和背板依次叠放并进行层压，形成层压件；
将层压件中的半成品从前板和背板之间取出，揭去薄膜，得到压有胶膜的成品芯片；
其中，所述薄膜与胶膜不粘结。
2.根据权利要求1所述的芯片的预处理方法，其特征在于：所述封装胶膜为EVA胶膜、POE胶膜或TPO胶膜；
所述薄膜为ETFE薄膜或PTFE薄膜；
所述前板和/或后板为平面钢化玻璃、硅胶垫、Al-PET板或不锈钢板。
3.根据权利要求1或2所述的芯片的预处理方法，其特征在于：所述芯片为串接好且连接有汇流条的芯片子串。
4.根据权利要求1-3中任一所述的芯片的预处理方法，其特征在于：胶膜的敷设厚度为0.1-0.5mm。
5.根据权利要求1-4中任一所述的芯片的预处理方法，其特征在于：在层压件温度降至50℃以下时，采用180度剥离方式揭去薄膜。
6.根据权利要求1-5中任一所述的芯片的预处理方法，其特征在于，在层压过程中，控制温度为100-180℃，压力为95-101Kpa，时间为10-60min。
7.根据权利要求6所述的芯片的预处理方法，其特征在于，在层压过程中，控制温度为150-160℃，压力为100-101Kpa，时间为15-20min。
8.一种发电瓦的制备方法，包括权利要求1-7中任一所述的芯片的预处理方法，其特征在于，还包括如下步骤：
将压有胶膜的成品芯片正反面分别敷设POE胶膜，再在两个POE胶膜背离成品芯片的一侧分别敷设前板和背板，并将成品芯片的正面朝向前板，然后层压，得到发电瓦。
9.根据权利要求8所述的发电瓦的制备方法，其特征在于，在发电瓦的制备过程中，层压温度为100-180℃，压力为80-101Kpa，时间为20-70min。
10.一种权利要求8或9所述的发电瓦的制备方法所制得的发电瓦。
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