[发明专利]一种超短焦抗光结构的制作方法

权利要求书

1.一种超短焦抗光结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

第一步，在基板上模压出的光学微结构的表面上均匀沉积金属材料形成反射层；

第二步，在反射层上均匀覆盖光阻材料；

第三步，使用照射光对选定区域进行曝光；

第四步，显影去除选定区域内被曝光的光阻材料，露出所述区域内的反射层；

第五步，刻蚀掉露出的反射层上的金属材料，形成抗光侧；使用腐蚀液侵蚀掉露出的反射层上的金属材料；

第六步，去除剩余的光阻材料，露出反射层，得所述抗光结构。

2.根据权利要求1所述的超短焦抗光结构的制作方法，其特征在于，所述第一步中沉积金属材料的方法为蒸镀、磁控溅射或化学镀。

3.根据权利要求1所述的超短焦抗光结构的制作方法，其特征在于，所述反射层的厚度不大于5μm。

4.根据权利要求3所述的超短焦抗光结构的制作方法，其特征在于，所述反射层的厚度为0.1-5μm。

5.根据权利要求1所述的超短焦抗光结构的制作方法，其特征在于，所述金属材料为银、铝或镍。

6.根据权利要求1～5任意一项所述的超短焦抗光结构的制作方法，其特征在于，所述第三步中使用掩膜版使照射光选择性的透过并照射到选定区域。

7.根据权利要求6所述的超短焦抗光结构的制作方法，其特征在于，所述掩膜版设有交叉的透光区和遮光区，照射光从透光区照下对选定区域曝光。

8.根据权利要求7所述的超短焦抗光结构的制作方法，其特征在于，所述光阻材料和照射光分别为UV胶和紫外光。

9.根据权利要求7或8所述的超短焦抗光结构的制作方法制得的超短焦抗光结构。