[发明专利]一种平面波导器件的生产工艺在审
| 申请号： | 201811515362.9 | 申请日： | 2018-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN109324369A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 袁晓君;徐彦平;廖鹏;耿凯鸽 | 申请（专利权）人： | 科新网通科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/132 | 分类号： | G02B6/132 |
| 代理公司： | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 | 代理人： | 郭冠亚 |
| 地址： | 471000 河南省*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沉积 平面波导器件 氮氧化硅膜 表面沉积 生产工艺 二氧化硅表面 退火 二氧化硅膜 波导芯层 硅片 上层 高温二氧化硅膜 材料制备 氮氧化硅 高折射率 均匀性好 退火处理 沉积法 上表面 下表面 折射率 下层 | ||
1.一种平面波导器件的生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：
(1)以硅片为基体，在硅片的上表面和下表面同时长一层高温二氧化硅膜；然后通过CVD沉积法在位于下层的二氧化硅表面沉积一层TEOS膜，再在位于上层的二氧化硅表面沉积一层TEOS膜；
(2)对TEOS膜进行退火处理；
(3)在位于上层的TEOS膜的表面沉积一层氮氧化硅膜；然后将硅片进行退火；
(4)在氮氧化硅膜的表面再次沉积一层氮氧化硅膜作为波导芯层；
(5)在波导芯层的表面沉积一层TEOS膜，再在TEOS膜的表面沉积一层二氧化硅膜，然后在二氧化硅膜上沉积一层TEOS膜，再退火，即可。
2.根据权利要求1所述一种平面波导器件的生产工艺，其特征在于，步骤(1)中，所述硅片的厚度为720-725um；所述二氧化硅膜的厚度为2-3um；所述TEOS膜的厚度为10-15um。
3.根据权利要求1所述一种平面波导器件的工艺，其特征在于，步骤(2)中，所述退火为将沉积有TEOS膜的硅片在800-1100℃的环境中，退火50-70min。
4.根据权利要求1所述一种平面波导器件的工艺，其特征在于，步骤(3)中，通过PECVD的方法在TEOS膜的表面沉积一层厚度为50-100nm的氮氧化硅膜。
5.根据权利要求1所述一种平面波导器件的工艺，其特征在于，步骤(3)中，所述退火为在800-1100℃的温度下退火处理50-70min。
6.根据权利要求1所述一种平面波导器件的生产工艺，其特征在于，步骤(4)中，通过PECVD的方法在氮氧化硅膜表面沉积一层厚度为1-2um的氮氧化硅膜。
7.根据权利要求1所述一种平面波导器件的生产工艺，其特征在于，步骤(5)中，在波导芯层上沉积的一层TEOS膜的厚度为75-85nm。
8.根据权利要求1所述一种平面波导器件的生产工艺，其特征在于，步骤(5)中，通过PECVD法在TEOS膜上沉积一层厚度为2-4um的二氧化硅膜。
9.根据权利要求1所述一种平面波导器件的生产工艺，其特征在于，步骤(5)中：通过CVD的方法在二氧化硅膜上沉积一层厚度为8-12um厚的TEOS膜。
10.根据权利要求1所述一种平面波导器件的生产工艺，其特征在于，步骤(5)中，所述退火为在温度为100-700℃的条件下退火50-70min。
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