[发明专利]静电放电保护电路和包括其的集成电路在审
申请号: | 201811473112.3 | 申请日: | 2018-12-04 |
公开(公告)号: | CN109872991A | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
发明(设计)人: | 张成必;金昌洙;金汉求;梁文硕;全暻基 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;韩明花 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电力轨 放电控制信号 电路 动态触发 静态触发 配置 集成电路 静电放电保护电路 电压检测电路 触发器电路 电压变化 电压生成 静电放电 信号生成 暂态检测 电荷 主放电 释放 | ||
提供了一种静电放电(ESD)保护电路和一种集成电路。所述ESD保护电路包括:暂态检测电路,被配置为基于第一电力轨上的电压的电压变化速率生成动态触发信号;电压检测电路,被配置为基于第一电力轨上的电压生成静态触发信号;触发器电路,被配置为基于动态触发信号和静态触发信号生成放电控制信号;以及主放电电路,被配置为基于放电控制信号从第一电力轨向第二电力轨释放电荷。
本申请要求于2017年12月5日提交到韩国知识产权局(KIPO)的第10-2017-0166249号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
与示例实施例一致的方法和设备总体上涉及半导体集成电路,更具体地,涉及静电放电(ESD)保护电路以及包括该ESD保护电路的集成电路。
背景技术
诸如移动装置的电子装置包括各种半导体集成电路。随着半导体集成电路缩小,增强的静电放电(ESD)保护对于半导体集成电路变得越来越重要。ESD保护电路可以用于保护半导体芯片或电路免受与静电引起的放电现象有关的损伤。例如,由于静电,会在电路的分离的部分之间施加比电路的给定的击穿电压高的电压。在这种情况下,电路会被由这样的高静电电压引起的大电流损坏。例如,在包括金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管的半导体装置中,如果高静电电压瞬间施加到与输入电路或输出电路连接的输入/输出(I/O)垫(pad,或称为“焊盘”),则MOS晶体管的栅极绝缘层会被高静电电压损坏或破坏。
发明内容
示例实施例提供了能够通过ESD事件有效地释放电荷的静电放电(ESD)保护电路和包括该ESD保护电路的集成电路。
根据示例实施例的一方面,提供了一种静电放电保护电路(ESD保护电路),所述ESD保护电路包括:暂态检测电路,被配置为基于第一电力轨上的电压的电压变化速率生成动态触发信号;电压检测电路,被配置为基于第一电力轨上的电压生成静态触发信号;触发器电路,被配置为基于动态触发信号和静态触发信号生成放电控制信号;以及主放电电路,被配置为基于放电控制信号从第一电力轨向第二电力轨释放电荷。
根据另一示例实施例的一方面,提供了一种静电放电保护电路(ESD保护电路),所述ESD保护电路包括:暂态检测电路,连接在第一电力轨和第二电力轨之间,暂态检测电路被配置为在第一电力轨上的电压的电压变化速率高于参考速率时激活动态触发信号;电压检测电路,连接在第一电力轨和第二电力轨之间,电压检测电路被配置为在第一电力轨上的电压高于参考电压时激活静态触发信号;触发器电路,连接在第一电力轨和第二电力轨之间,触发器电路被配置为在动态触发信号和静态触发信号两者被激活时激活放电控制信号;以及主放电电路,连接在第一电力轨和第二电力轨之间,主放电电路被配置为响应于被激活的放电控制信号从第一电力轨向第二电力轨释放电荷。
根据又一示例实施例的一方面,提供了一种集成电路,所述集成电路包括:内部电路,连接在第一电力轨和第二电力轨之间;以及静电放电保护电路(ESD保护电路),连接在第一电力轨和第二电力轨之间,ESD保护电路被配置为在第一电力轨上的电压的电压变化速率高于参考速率并且第一电力轨上的电压高于参考电压时从第一电力轨向第二电力轨释放电荷。
附图说明
通过下面结合附图的详细描述,本公开的示例实施例将被更清楚地理解。
图1是示出根据示例实施例的静电放电(ESD)保护电路的框图。
图2是示出根据示例实施例的ESD保护电路的电路图。
图3和图4是用于描述根据示例实施例的图2的ESD保护电路的触发操作的图。
图5和图6是示出根据示例实施例的ESD保护电路的电路图。
图7是示出包括在根据示例实施例的ESD保护电路中的电压检测电路的二极管的特性的图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811473112.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置及其制造方法
- 下一篇:具有鳍状结构的半导体装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的