[发明专利]显示设备有效
| 申请号: | 201811471939.0 | 申请日: | 2018-12-04 |
| 公开(公告)号: | CN109980060B | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
| 发明(设计)人: | 蔡宗翰;李冠锋;吴湲琳 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44;H01L25/16 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 骆希聪 |
| 地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 设备 | ||
本发明提供一种显示设备,包括:一基板;一驱动电路,设置于基板上;一发光单元,设置于驱动电路上且与驱动电路电性连接,其中发光单元包括:一第一半导体层;一量子阱层,设置第一半导体层上;以及一第二半导体层,设置于量子阱层上,且第二半导体层包括一第一顶表面;以及一第一保护层,设置于驱动电路上且邻近于发光单元,且第一保护层包括一第二顶表面以及设置于其中的多个导电组件,其中第一顶表面的高度高于第二顶表面的高度。
技术领域
本发明是关于一种显示设备,且特别是关于显示设备的保护层。
背景技术
智能型手机、平板计算机、笔记本计算机、显示器及电视等具有显示面板的电子装置已成为现代社会不可或缺的必需品。随着这类可携式电子产品的蓬勃发展,消费者对于这类产品的质量、功能及价格等有更高的期望。下一代显示设备的发展主要专注在节省能源及环保的技术上。
以氮化镓(GaN)为基础的发光二极管(LED)被预期将用于未来的高效照明应用中,取代白炽灯及荧光灯。目前以GaN为基础的LED装置是借由异质磊晶生长技术(heteroepitaxial growth technique)于基底材料上制备。一般的晶圆级LED装置结构可包含形成于蓝宝石基底上的单量子阱(single quantum well,SQW)或多量子阱(multiplequantum well,MWQ)、n掺杂的GaN层以及p掺杂的GaN层。
微型LED(Micro LED)技术为一种新兴的平板显示技术,微型LED显示器可驱动寻址的微型LED的数组。在目前的制造方法中,形成微型LED且将其切割成多个微型LED管芯(例如,微型发光管芯),驱动电路及相关电路形成于玻璃基板上以提供数组基板(例如,薄膜晶体管数组基板),然后将微型LED管芯安装于数组基板上。微型LED中常使用裸管芯,其中裸管芯被保护层包围,保护层例如为各向异性导电膜(anisotropic conductive film,ACF)层等。ACF层可作为微型LED的电极及薄膜晶体管数组基板之间的导电路径。一般而言,ACF层的顶表面与微型LED的顶表面齐平以提供保护,然而,这会导致ACF材料的浪费且局限了光转换层可填充的空间。此外,ACF层中具有不同尺寸的导电粒子也可能造成较差的导电性差或反射率。
因此,发展出可有效地维持或改善LED结构的效能的保护层的设计是为业界所期待的。
发明内容
根据本发明一些实施例,提供一种显示设备,其特征在于,包括:一基板;一驱动电路,设置于该基板上;一发光单元,设置于该驱动电路上且与该驱动电路电性连接,其中该发光单元包括:一第一半导体层;一量子阱层,设置该第一半导体层上;以及一第二半导体层,设置于该量子阱层上,且该第二半导体层包括一第一顶表面;以及一第一保护层,设置于该驱动电路上且邻近于该发光单元,且该第一保护层包括一第二顶表面以及设置于其中的多个导电组件,其中该第一顶表面的高度高于该第二顶表面的高度。
根据本发明另一些实施例,提供一种显示设备,其特征在于,包括:一基板;一驱动电路,设置于该基板上;一绝缘层,设置于该驱动电路上;一发光单元,设置于该绝缘层上且与该驱动电路电性连接,其中该发光单元包括:一第一半导体层;一量子阱层,设置该第一半导体层上;以及一第二半导体层,设置于该量子阱层上,且该第二半导体层包括一第一顶表面;以及一第一保护层,设置于该绝缘层上且邻近于该发光单元,且该第一保护层包括一第二顶表面以及设置于其中的多个导电组件,其中该第一顶表面的高度高于该第二顶表面的高度。
附图说明
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂,以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明,其中:
图1A至1C显示根据本发明一些实施例中,显示设备的剖面示意图;
图2A至2C显示根据本发明一些实施例中,显示设备的剖面示意图;
图3A至3B显示根据本发明一些实施例中,显示设备的剖面示意图;
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