[发明专利]太阳能电池抗PID装置在审
申请号: | 201811468764.8 | 申请日: | 2018-12-03 |
公开(公告)号: | CN109494281A | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
发明(设计)人: | 陈五奎;刘强;陈磊;徐文州;石平 | 申请(专利权)人: | 乐山新天源太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 李玉兴 |
地址: | 614000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 发生器 双氧 氮气 硅片表面 混合气体 混合装置 均化装置 气体混合 气管 连通 氧气 进气口 均匀覆盖 出气口 硅片 串流 串气 保证 | ||
本发明公开了一种能够避免气体串气,同时能够保证混合气体均匀分布在硅片表面周围的太阳能电池抗PID装置。该太阳能电池抗PID装置,包括氮气和氧气单向混合装置、双氧发生器、气体混合均化装置以及气管;所述氮气和氧气单向混合装置与双氧发生器的进气口连通;所述气体混合均化装置通过气管与双氧发生器的出气口连通。采用该太阳能电池抗PID装置,能够有效的避免气体的倒流和串流;同时能够保证混合气体均匀覆盖在硅片表面的周围,能够适用于不同长度的硅片;能够有效的降低生产成本。
技术领域
本发明涉及太阳能电池抗PID领域,尤其是一种太阳能电池抗PID装置。
背景技术
众所周知的:太阳能电池的PID效应的英文全称是:Potential InducedDegradation,即电势诱导衰减。2005年美国SunPower公司首次发现并提出PID效应,指组件长期在高电压工作,在盖板玻璃、封装材料、边框之间存在漏电流,大量电荷聚集在电池片表面,使得电池片表面的钝化效果恶化,导致填充因子、短路电流、开路电压降低,使组件性能低于设计标准,但此衰减是可逆的。
因此太阳能电池板需要对其进行抗PID处理,从而避免太阳能电池板出现PID现象;现有的太阳能电池板抗PID设备需要将氧气和氮气进行混合然后通过臭氧发生器生产臭氧,通过臭氧、氧气和氮气的混合气体覆盖在硅片表面,保证硅片表面形成高纯致密的二氧化硅层,厚度大概在10-20nm,从而解决电池组件中玻璃产生的钠离子引起的电位诱导效应。
现有的太阳能电池抗PID装置容易出现以下问题:
1、现有的氮气和氧气的混合装置无法实时调节氮气和氧气的流量,同时无法阻止氧气与氮气的串气,同时容易出现倒流现象。
2、直接将混合气体直接通入到硅片表面,从而使得硅片表面接触到的气体不均匀,从而无法保证硅片表面形成高纯致密的二氧化硅层。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种能够避免气体串气,同时能够保证混合气体均匀分布在硅片表面周围的太阳能电池抗PID装置。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:太阳能电池抗PID装置,包括氮气和氧气单向混合装置、双氧发生器、气体混合均化装置以及气管;
所述氮气和氧气单向混合装置与双氧发生器的进气口连通;所述气体混合均化装置通过气管与双氧发生器的出气口连通;
所述氮气和氧气单向混合装置包括气体混合本体;所述气体混合本体具有两端均开口的内腔;
所述气体混合本体的一端设置有第一密封板,另一端设置有第二密封板;所述气体混合本体具有的腔体上部设置有第一水平隔板,下部设置有第二水平隔板;所述第一水平隔板与气体混合本体腔体的顶部之间形成氧气进气腔;所述二水平隔板与气体混合本体腔体的底部之间形成氮气进气腔;
所述第一密封板上设置有与氮气进气腔连通的氮气进气管,所述氮气进气管上设置有第一单向阀以及第一流量调节阀;
所述气体混合本体上表面设置有与氧气进气腔连通的氧气进气管;所述氧气进气管上设置有第二单向阀以及第二流量调节阀;
所述第一水平隔板上设置有第一透气孔;所述第一水平隔板的下表面设置有沿横向均匀分布的第一竖向隔板;所述第二水平隔板上设置有第二透气口;所述第二水平隔板的上表面设置有沿横向均匀分布的第二竖向隔板;
所述第二水平隔板上的第二竖向隔板位于第一水平隔板上相邻两块第一竖向隔板之间间隙的正下方;
所述第二密封板上设置有出气嘴;所述出气嘴上连接有布气筒;所述布气筒的一端与出气嘴连通,另一端设置有密封板;所述布气筒内设置有布气板;所述密封板上设置有与布气筒连通的出气管;所述出气管上设置有第三单向阀以及第三流量调节阀;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的