[发明专利]一种通过库仑作用制备MoS2 有效
| 申请号： | 201811462030.9 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109513454B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 祁祥;刘圣前;黄宗玉;钟建新 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | B01J27/24 | 分类号： | B01J27/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 411105 湖南省湘*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 通过 库仑 作用 制备 mos base sub | ||
1.一种通过库仑作用制备MoS2/C3N4复合光催化剂的方法，其特征在于如下步骤：
(1)C3N4纳米片的制备和修饰：将块状C3N4加入到H2SO4(98wt％)中，在室温下搅拌8小时之后倒入去离子水中超声8小时，用去离子水7000～11000rpm离心洗涤3～7次，制得的C3N4纳米片悬浮液滴加氨水，调节溶液的pH值为9～11，得到改性后的C3N4纳米片悬浮液；
(2)MoS2纳米片的修饰：将MoS2纳米片分散在乙醇中，超声1小时之后加入适量的APTES(3-氨基丙基三乙氧基硅烷)，40～80℃水浴搅拌3～6小时之后用乙醇清洗3次并重新分散在去离子水中超声1小时，之后5000～7000rpm离心5分钟，获得改性后的MoS2纳米片悬浮液；
(3)MoS2/C3N4复合催化剂的制备：将步骤(1)、步骤(2)中修饰好的C3N4纳米片悬浮液和MoS2纳米片悬浮液按照质量比为(2～20):1的比例均匀混合搅拌1小时，然后离心，洗涤，干燥得到MoS2/C3N4复合光催化剂。
2.根据权利要求1所述的一种通过库仑作用制备MoS2/C3N4复合光催化剂的方法，其特征在于：通过溶液改性两种不同半导体的纳米片使其拥有相反的带电电荷通过库仑作用相互吸附，形成异质结。
3.根据权利要求1所述的一种通过库仑作用制备MoS2/C3N4复合光催化剂的方法，其特征在于MoS2纳米片通过APTES(3-氨基丙基三乙氧基硅烷)修饰获得带电电荷，通过氨水调节溶液pH值，使 C3N4纳米片拥有和MoS2相反的带电电荷。
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