[发明专利]基于MOSFET栅源极光栅化THz探测器制备方法

权利要求书

1.一种基于MOSFET栅源极光栅化THz探测器制备方法，其特征在于，在基于CMOS的THz探测器栅源极制备过程中，用微/纳米技术构筑微米或纳米级光栅阵列结构型栅源极；通过对栅源极的光栅化结构参数(光栅的宽度、长度、区域面积、周期和图案形式)的调节来实现对不同波段THz辐射进行选择性响应和探测；具体包括以下步骤：

第一步：在硅基底上依次通过光刻、离子注入、去胶、氧化物生长、牺牲层沉积、刻蚀、源漏区离子注入、漏区电极生长，制备出THz探测器底部器件；

第二步：在第一步中所得THz探测器底部器件上通过掩膜版光刻刻蚀手段制备出符合要求的源极光栅结构；

第三步：将第二步中的源极光栅结构利用电子束蒸发制备出沉积厚度满足预期的源极层，完成器件的源极光栅化；

第四步：将第三步中完成源极光栅化的器件通过光刻刻蚀手段制备出符合要求的栅极光栅结构；

第五步：将第四步中的栅极光栅结构利用电子束蒸发制备出沉积厚度满足预期的栅极层，完成器件的栅极光栅化；完成THz探测器器件制备。

2.根据权利要求1所述的基于MOSFET栅源极光栅化THz探测器制备方法，其特征在于，所述光栅为周期可调且具有各种不同图案形式的金属阵列化结构，周期分布区间均为100纳米到20微米，栅源极周期区域面积区间均为100平方微米到3平方毫米；所述光栅结构中，光栅宽区间均为10纳米到10微米，光栅长区间20微米到2毫米。

3.根据权利要求1所述的基于MOSFET栅源极光栅化THz探测器制备方法，其特征在于，所述THz探测器器件基于CMOS标准工艺，源极和栅极的金属相同，均为钛、金、钨中任选一种或两种，金属层厚度区间为5纳米到200纳米。