[发明专利]通过铜凸块侧壁保护而防止受电偶腐蚀而缺失凸块

权利要求书

1.一种半导体封装件，包含：

导电层上的抗蚀层；

所述导电层上的凸块，其中，所述凸块具有顶面和一个或多个侧壁；以及

所述凸块的所述顶面和所述一个或多个侧壁上的表面抛光剂。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述表面抛光剂环绕所述凸块的所述顶面和所述一个或多个侧壁，以保护所述凸块免受腐蚀。

3.根据权利要求1-2中的任一项所述的半导体封装件，其中，所述表面抛光剂是镍-钯-金（NiPdAu）表面抛光剂。

4. 根据权利要求1-3中的任一项所述的半导体封装件，还包含：

所述抗蚀层的顶面上的晶种；以及

所述晶种上的电介质，其中，所述电介质环绕所述凸块的所述一个或多个侧壁。

5.根据权利要求1-4中的任一项所述的半导体封装件，其中，所述晶种是无电镀的铜晶种。

6.根据权利要求1-5中的任一项所述的半导体封装件，还包含形成于所述电介质与所述凸块的所述一个或多个侧壁之间的间隙开口，其中，所述凸块的所述一个或多个侧壁通过所述间隙开口而被暴露。

7.根据权利要求1-6中的任一项所述的半导体封装件，其中，所述凸块是铜凸块。

8.根据权利要求1-7中的任一项所述的半导体封装件，其中，所述电介质包括聚合物材料。

9.一种形成半导体封装件的方法，包含：

将抗蚀层安置于导电层上；

将凸块安置于所述导电层上，其中，所述凸块具有顶面和一个或多个侧壁；以及

将表面抛光剂安置于所述凸块的所述顶面和所述一个或多个侧壁上。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述表面抛光剂环绕所述凸块的所述顶面和所述一个或多个侧壁，以保护所述凸块免受腐蚀。

11.根据权利要求9-10中的任一项所述的方法，其中，所述表面抛光剂是镍-钯-金（NiPdAu）表面抛光剂。

12. 根据权利要求9-11中的任一项所述的方法，还包含：

将晶种安置于所述抗蚀层的顶面上；以及

将电介质安置于所述晶种上，其中，所述电介质环绕所述凸块的所述一个或多个侧壁。

13.根据权利要求9-12中的任一项所述的方法，其中，所述晶种是无电镀的铜晶种。

14.根据权利要求9-13中的任一项所述的方法，还包含在所述电介质与所述凸块的所述一个或多个侧壁之间形成间隙开口，其中，所述凸块的所述一个或多个侧壁通过所述间隙开口而被暴露。

15.根据权利要求9-14中的任一项所述的方法，其中，所述凸块是铜凸块。

16.根据权利要求9-15中的任一项所述的方法，其中，所述电介质包括聚合物材料。

17.一种半导体封装件，包含：

衬底上的内插器；

所述内插器上的管芯；以及

多个凸块上的表面抛光剂，其中，所述多个凸块将所述管芯电耦合到所述内插器，并且将所述内插器电耦合到所述衬底。

18.根据权利要求17所述的半导体封装件，其中，所述表面抛光剂环绕所述凸块的所述顶面和所述一个或多个侧壁，以保护所述凸块免受腐蚀，其中，每个凸块具有至少顶面和一个或多个侧壁，并且其中，所述表面抛光剂安置于每个凸块的所述顶面和所述一个或多个侧壁中的至少一个上。