[发明专利]一种覆铜氮化铝陶瓷基板的制造方法

权利要求书

1.一种覆铜氮化铝陶瓷基板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）点蚀溶液的配制：点蚀溶液由硫酸钠、硫酸、缓释剂和添加剂混合而成，其中缓释剂由乙二醇、甘油的任一种或二者混合，添加剂为草酸、EDTA的任一种或二者混合，将选取的试剂按比例溶于去离子水中，并在50℃条件下搅拌，搅拌速度为500-600rpm，搅拌40-60min后过滤制得点蚀溶液；

（2）除垢处理：将氮化铝陶瓷基板浸入除油溶液中，用超声清洗工艺清洗，去除氮化铝陶瓷基板表面的污垢，在硫酸钠作用下，并用去离子水冲净其表面；

（3）脱脂处理：将氮化铝陶瓷基板浸入到脱脂溶液中，用超声清洗工序清洗，脱脂5-10min后取出，用去离子水冲洗4-6次；

（4）氮化铝陶瓷基板表面点蚀处理：将氮化铝陶瓷基板浸入于点蚀溶液中，并辅以超声工艺，在硫酸钠作用下，在氮化铝陶瓷基板表面形成凹点，取出用去离子水冲净，冷风吹干；

（5）活化处理：将氮化铝陶瓷基板表面涂上活化剂，所述活化剂由硫酸铜、过硫酸钠、硼酸和柠檬酸钾混合而成，并将涂有活化剂的氮化铝陶瓷基板置于活化炉内进行活化处理；

（6）热处理：再将点蚀后的氮化铝陶瓷基板置于真空加热炉内，先将温度升至180-220℃后保温2-3h，然后升至250-300℃后保温1.5-2h；

（7）镀镍：将热处理后的氮化铝陶瓷基板置于一真空腔室内，并将N₂通过该腔室内，启动溅镀镍靶材，形成离子束溅击，溅击出的镍原子挥发形成等离子体状态而被吸附沉积于陶瓷基板的活性结合面上，形成镀镍氮化铝陶瓷基板；

（8）真空扩焊：将镀镍氮化铝陶瓷基板板与清洗后的铜箔待焊接部位以相对形式贴合，然后置于真空扩焊炉中，关闭真空室，打开抽真空系统，开启加热系统，将真空扩焊炉温度升温至650-750℃，在保温开始前，对贴合后的材料施加4-6MPa的压力，然后在温度为650-750℃下及压力为4-6MPa的条件下，保温25-35min，保温后卸载压力，随炉温冷却至室温，干燥，得到覆铜氮化铝陶瓷基板。

2.根据权利要求1所述的覆铜氮化铝陶瓷基板的制造方法，其特征在于，所述步骤（1）中，每1L点蚀溶液中包含硫酸钠150-200g、硫酸30-50ml、缓释剂20-30g、添加剂5-10g，其余为水。

3.根据权利要求1所述的覆铜氮化铝陶瓷基板的制造方法，其特征在于，所述步骤（2）中的除油溶液为酸性除醋液，溶度为120-160g/L，超声功率为130-160W，超声处理时间为25-35min。

4.根据权利要求1所述的覆铜氮化铝陶瓷基板的制造方法，其特征在于，所述步骤（3）中，每1L脱脂剂包含酸性脱脂剂80-120ml、硫酸150-250ml，其余为水。

5.根据权利要求1所述的覆铜氮化铝陶瓷基板的制造方法，其特征在于，所述步骤（3）中的超声波频率为50-70KHz，处理时间为30-50min。

6.根据权利要求1所述的覆铜氮化铝陶瓷基板的制造方法，其特征在于，所述步骤（5）中的活化剂由硫酸铜、过硫酸钠、硼酸和柠檬酸钾按质量比5:3:2:1混合而成。

7.根据权利要求1所述的覆铜氮化铝陶瓷基板的制造方法，其特征在于，所述步骤（5）活化处理的具体步骤为：

（1）预活化：将将涂有活化剂的氮化铝陶瓷基板置于活化炉中，在高纯N2气氛中，以10℃/min的升温速率升温至150℃，保温温1.5h，得到预活化氮化铝陶瓷基板；

（2）中低温活化：将步骤（1）的预活化氮化铝陶瓷基板继续升温，以15℃/min升温至250℃，保温1.0h，得到中低温活化氮化铝陶瓷基板；

（3）高温活化：将步骤（2）氮化铝陶瓷基板继续升温，以20℃/min升温至380℃，保温温0.5h，即得表面活化的氮化铝陶瓷基板。