[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件具有第一场效应晶体管形成区域和存储器晶体管形成区域，所述方法包括以下步骤：

(a)在所述存储器晶体管形成区域中的衬底的表面上形成第一绝缘膜；

(b)在所述步骤(a)之后，在含氮气氛中对所述衬底执行热处理，以将氮引入到所述存储器晶体管形成区域中的所述第一绝缘膜中；

(c)在所述步骤(b)之后，在所述存储器晶体管形成区域中的所述第一绝缘膜上、以及在所述第一场效应晶体管形成区域上形成具有陷阱能级的第二绝缘膜；

(d)在所述步骤(c)之后，暴露所述第一场效应晶体管形成区域中的所述衬底的所述表面；

(e)在所述步骤(d)之后，在所述第一场效应晶体管形成区域中的所述衬底的所述表面上形成牺牲膜；

(f)在所述步骤(e)之后，移除所述牺牲膜；

(g)在所述步骤(f)之后，在所述第一场效应晶体管形成区域中的所述衬底的所述表面上、以及在所述存储器晶体管形成区域中的所述第二绝缘膜上形成第三绝缘膜；

(h)在所述步骤(g)之后，形成第一导体膜，所述第一导体膜从形成在所述第一场效应晶体管形成区域中的所述第三绝缘膜上到形成在所述存储器晶体管形成区域中的所述第三绝缘膜上；以及

(i)在所述步骤(h)之后，图案化所述第一导体膜，以在所述第一场效应晶体管形成区域中形成第一栅极电极以及在所述存储器晶体管形成区域中形成存储器栅极电极。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中所述牺牲膜是氧化硅膜，以及

其中在所述步骤(e)中，热氧化过程被使用。

3.根据权利要求2所述的方法，其中在所述步骤(e)中，快速热氧化过程被使用。

4.根据权利要求2所述的方法，其中在所述步骤(e)中，原位蒸汽产生(ISSG)氧化过程被使用。

5.根据权利要求1所述的方法，

其中所述第二绝缘膜是氮化硅膜，

其中所述第三绝缘膜是氧化硅膜，以及

其中在步骤(g)中，快速热氧化过程和ISSG氧化过程的组合被使用。

6.根据权利要求5所述的方法，其中被形成在所述第一场效应晶体管形成区域中的所述第三绝缘膜的厚度大于被形成在所述存储器晶体管形成区域中的所述第三绝缘膜的厚度。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一场效应晶体管形成区域是选择晶体管将被形成在其中的区域，所述选择晶体管用于选择将被形成在所述存储器晶体管形成区域中的存储器晶体管。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一场效应晶体管形成区域是高耐压场效应晶体管将被形成在其中的区域。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一场效应晶体管形成区域是用于配置输入-输出电路的场效应晶体管将被形成在其中的区域。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一场效应晶体管形成区域是p沟道型场效应晶体管将被形成在其中的区域。

11.根据权利要求1所述的方法，

其中所述第三绝缘膜是氧化硅膜，

在所述步骤(g)之后并且在所述步骤(h)之前，所述方法进一步包括以下步骤：

利用含氮的等离子体在所述第三绝缘膜的表面上执行等离子体处理。

12.根据权利要求1所述的方法，

其中所述半导体器件包括第二场效应晶体管形成区域，所述第二场效应晶体管形成区域具有被形成在所述衬底上的掩埋绝缘层以及被形成在所述掩埋绝缘层上的半导体层，以及

其中在所述第二场效应晶体管形成区域中的所述半导体层的杂质浓度低于在所述第一场效应晶体管形成区域中的沟道形成区域的杂质浓度。