[发明专利]存储器控制器、其读取控制方法及其编程控制方法

说明书

一种用于控制存储器装置的存储器控制器的读取控制方法，所述存储器装置包括分别连接到多条字线的多个存储器页面，所述读取控制方法包括：对所述多个存储器页面中已经历暂停操作的所选择存储器页面进行识别，所述所选择存储器页面连接到所选择字线；根据对所述所选择存储器页面进行识别的结果，基于与所述所选择存储器页面相关联的暂停操作信息来确定所述所选择存储器页面的读取偏移电平；以及基于与所确定出的所述读取偏移电平相关联的读取电压来控制所述存储器装置的读取操作。也提供一种存储器控制器及其编程控制方法。

[相关申请的交叉参考]

本申请主张在2017年12月1日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10-2017-0164336号的优先权，所述韩国专利申请的公开内容全文并入本申请供参考。

技术领域

本发明概念涉及一种存储器控制器，且更具体来说，涉及一种存储器控制器的控制方法。

背景技术

半导体存储器装置可被分类成当不被供电时会丢失所存储的数据的易失性存储器装置以及当不被供电时不会丢失所存储的数据的非易失性存储器装置。易失性存储器装置具有高读取及写入速度，但在不向其供应外部电力时，存储在其中的内容会消失。另一方面，非易失性存储器装置具有比非易失性存储器装置低的读取速度及写入速度，但即使当不向其供应外部电力时，存储在其中的内容也会得到维持。

举例来说，在例如闪存存储器装置(flash memory device)等非易失性存储器装置中，当存储在一个存储单元中的数据位的数目增加时，可能需要更精细地形成存储器装置中所包括的存储单元的阈值电压分布。当阈值电压分布比所预测的阈值电压分布更宽地形成或者形成在并行转译之后的位置处时，可能会出现读取误差。可能需要提供当存储单元的阈值电压分布发生改变时实行高度可靠的数据读取操作的方法。

发明内容

在存储器控制器及所述存储器控制器的控制方法中，本发明概念提供一种用于提高对在编程操作期间已经历暂停操作的存储器页面进行的读取操作的可靠性的方法及装置。

根据本发明概念的一些实施例，提供一种用于控制存储器装置的存储器控制器的读取控制方法，所述存储器装置包括分别连接到多条字线的多个存储器页面，所述读取控制方法包括：对已经历暂停操作的所选择存储器页面进行识别，所述所选择存储器页面连接到所述多条字线中的所选择字线；根据对所述所选择存储器页面进行识别的结果，基于与所述所选择存储器页面相关联的暂停操作信息来确定所述所选择存储器页面的读取偏移电平；以及基于与所确定出的所述读取偏移电平相关联的读取电压来控制所述存储器装置的读取操作。

根据本发明概念的一些实施例，提供一种用于控制存储器装置的存储器控制器的编程控制方法，所述存储器装置包括分别连接到多条字线的多个存储器页面，所述编程控制方法包括：在对所述多个存储器页面中连接到所述存储器装置的所述多条字线中的所选择字线的所选择存储器页面进行的编程操作期间，从外部主机接收具有较高优先权的数据操作的请求；以及响应于所述接收具有所述较高优先权的所述数据操作的所述请求，向所述存储器装置传送暂停命令；响应于所述传送所述暂停命令，从所述存储器装置接收指示所述编程操作已被暂停的信号；向所述存储器装置传送与具有所述较高优先权的数据操作的所述请求对应的命令；在完成以所述较高优先权进行的所述数据操作后，向所述存储器装置传送恢复命令，以使所述存储器装置恢复所述编程操作；以及存储暂停标志信息及所述所选择存储器页面的暂停操作信息，所述暂停标志信息指示所述所选择存储器页面已经历暂停操作。