[发明专利]一种减少氚排放的次级中子源棒在审
| 申请号： | 201811444024.0 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109473190A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 党宇;卢俊强;付亚茹;郑轶雄;毛兰方;崔严光;徐时吟;孙靖雅 | 申请（专利权）人： | 上海核工程研究设计院有限公司 |
| 主分类号： | G21C19/02 | 分类号： | G21C19/02;G21C19/22;G21G4/02 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 冯子玲 |
| 地址： | 200233*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 中子源棒 包壳管 冷却剂 阻氚涂层 可组合 内包壳 排放量 锆合金 排放 镀镍 涂覆 | ||
1.一种减少氚排放的次级中子源棒，其特征在于，在所述次级中子源棒的包壳管上涂覆阻氚涂层或在所述次级中子源棒的包壳管内放置镀镍吸氚材料或在所述次级中子源棒内使用锆合金内层包壳管，或上述方案组合使用。
2.如权利要求1所述的减少氚排放的次级中子源棒，其特征在于，所述次级中子源棒为单层包壳次级中子源棒,由所述包壳管包覆次级中子源材料组成，所述包壳管的两端通过第一端塞和第二端塞密封,在所述包壳管上涂覆所述阻氚涂层。
3.如权利要求1所述的减少氚排放的次级中子源棒，其特征在于，所述次级中子源棒为双层包壳次级中子源棒,所述包壳管包括内包壳和外包壳,由所述内包壳包覆次级中子源材料，两端通过第三端塞和第四端塞密封，外部再包覆一层所述外包壳，所述外包壳两端通过第一端塞和第二端塞密封,在所述内包壳上涂覆所述阻氚涂层。
4.如权利要求3和4所述的减少氚排放的次级中子源棒，其特征在于，所述阻氚涂层材料为Cr2O3、Al2O3、ZrO2、SiC或其他具有阻氚性能的材料。
5.如权利要求1所述的减少氚排放的次级中子源棒，其特征在于，所述次级中子源棒为双层包壳次级中子源棒,所述包壳管包括内包壳和外包壳,由所述内包壳包覆次级中子源材料，两端通过第三端塞和第四端塞密封，外部再包覆一层所述外包壳，所述外包壳两端通过第一端塞和第二端塞密封,所述内包壳材料为锆合金,所述外包壳材料为不锈钢。
6.如权利要求1所述的减少氚排放的次级中子源棒，其特征在于，所述次级中子源棒为单层包壳次级中子源棒,由所述包壳管包覆次级中子源材料组成，所述包壳管的两端通过第一端塞和第二端塞密封,在所述包壳管内放置所述镀镍吸氚材料,所述镀镍吸氚材料可放置在所述次级中子源材料的上方或下方。
7.如权利要求1所述的减少氚排放的次级中子源棒，其特征在于，所述次级中子源棒为双层包壳次级中子源棒,所述包壳管包括内包壳和外包壳,由所述内包壳包覆次级中子源材料，两端通过第三端塞和第四端塞密封，外部再包覆一层所述外包壳，所述外包壳两端通过第一端塞和第二端塞密封,在所述外包壳或内包壳管内放置所述镀镍吸氚材料。
8.如权利要求7所述的减少氚排放的次级中子源棒，其特征在于，所述镀镍吸氚材料可设置于所述外包壳与所述内包壳之间，位于所述内包壳上方或下方。
9.如权利要求7所述的减少氚排放的次级中子源棒，其特征在于，所述镀镍吸氚材料可设置于所述内包壳内，位于所述次级中子源材料上方或下方。
10.如权利要求7所述的减少氚排放的次级中子源棒，其特征在于，所述镀镍吸氚材料的基体为锆合金，表面镀镍，镀镍层厚度为5～20μm。
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