[发明专利]一种离子液体插层的纳米二硫化钼的制备方法有效
| 申请号: | 201811441069.2 | 申请日: | 2018-11-29 |
| 公开(公告)号: | CN111233041B | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
| 发明(设计)人: | 王冬娥;田志坚;潘振栋;李鹏;王琳;韩健强;王从新 | 申请(专利权)人: | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号: | C01G39/06 | 分类号: | C01G39/06;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 马驰 |
| 地址: | 116023 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 离子 液体 纳米 二硫化钼 制备 方法 | ||
1.一种离子液体插层的纳米二硫化钼的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)将可溶性的钼源和生物硫源分别溶于水中,将钼源和硫源的水溶液分别加入到两份配好的乳化溶液中,分别乳化形成反相微乳液A和B,将反相微乳液A和B混合得到反相微乳液C,将C进行微乳热处理后分离、洗涤、干燥得到纳米二硫化钼;所述的微乳热处理温度为120 ~ 220℃,处理时间为2 ~ 72 h;
(2)将步骤(1)制备的纳米二硫化钼分散在离子液体水溶液中,在15 ~ 80℃下进行离子交换2 ~ 72 h,将获得的产物分离、洗涤、干燥,得到离子液体插层的纳米二硫化钼;制备的二硫化钼具有颗粒尺寸5~30 nm,离子液体插入层间,层间距为1.0~4.0 nm,二硫化钼具有高的边位活性位暴露量;
步骤(1)所述的微乳热过程采用的可溶性钼源为七钼酸铵、钼酸铵、钼酸钠、磷钼酸中的一种或两种以上,配制的钼源水溶液中钼浓度为0.05~0.50mol/L;
步骤(1)所述的微乳热过程采用的硫源为生物硫源L-半胱氨酸、谷胱甘肽中的一种或二者的混合物,配制的硫源水溶液浓度为0.20~2.00mol/L;
步骤(1)所述的乳化溶液为聚乙二醇辛基苯基醚Triton X-100:正戊醇:环己烷按照质量比为(1~5):1:(1~50)配制。
2.根据权利要求1所述的离子液体插层的纳米二硫化钼的制备方法,其特征在于步骤(1)所述的反相微乳液中水溶液:Triton X-100+正戊醇+环己烷的质量比为0.005~0.50;反相微乳液A和B混合时的体积比为1:1。
3.根据权利要求1所述的离子液体插层的纳米二硫化钼的制备方法,其特征在于步骤(2)所述的离子液体为1-乙基-3-甲基咪唑溴盐EMIMBr、1-乙基-3-甲基咪唑氯盐EMIMCl、1-丁基-3-甲基咪唑溴盐BMIMBr、1-丁基-3-甲基咪唑氯盐BMIMCl、1-丁基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐BMIMBF4、1-丁基-3-甲基咪唑四氟磷酸盐BMIMPF4亲水性离子液体中的一种或二种以上,离子液体水溶液的浓度为0.01 ~ 5.00 mol/L。
4.根据权利要求1所述的离子液体插层的纳米二硫化钼的制备方法,其特征在于步骤(2)所述的纳米二硫化钼与插层离子液体的摩尔比为1:(0.1 ~ 10)。
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