[发明专利]一种太阳能电池组件的制备方法在审
申请号: | 201811437524.1 | 申请日: | 2018-11-28 |
公开(公告)号: | CN109860331A | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
发明(设计)人: | 刘德臣;杨立红 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/042 |
代理公司: | 北京智晨知识产权代理有限公司 11584 | 代理人: | 张婧 |
地址: | 100176 北京市北京经济*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 划刻 太阳能电池组件 光电转换层 制备 背电极层 透明前电极层 透光区域 贯穿 太阳能电池串 玻璃基板 错位设置 光吸收层 复合层 过渡层 透光性 光伏 膜层 去除 | ||
本发明实施例涉及光伏领域,公开了一种太阳能电池组件的制备方法。本发明中,太阳能电池组件的制备方法包括以下步骤:(1)在玻璃基板上设置背电极层;(2)划刻并贯穿背电极层形成P1划刻线;(3)在背电极层上设置光电转换层,光电转换层包括光吸收层和过渡层;(4)划刻并贯穿光电转换层形成P2划刻线;(5)在光电转换层上设置透明前电极层;(6)划刻并贯穿光电转换层与透明前电极层组成的复合层形成P3划刻线;其中,P1划刻线,P2划刻线,P3划刻线错位设置;(7)去除部分区域的所有膜层形成透光区域,透光区域将太阳能电池组件分为多个太阳能电池串。本发明提供的太阳能电池组件及其制备方法,能够提高太阳能电池组件的透光性。
技术领域
本发明涉及光伏领域,特别涉及一种太阳能电池组件的制备方法。
背景技术
BIPV即Building Integrated PV,是光伏建筑一体化,PV即Photovoltaic,BIPV技术是将太阳能发电(光伏)产品集成到建筑上的技术。光伏建筑一体化(BIPV)不同于光伏系统附着在建筑上(BAPV:Building Attached PV)的形式,BIPV光伏组件需要将光伏发电功能集成到建筑上。其通常采用的方法是将太阳能电池组件做成建筑屋顶。
发明人发现现有技术中至少存在如下问题:现有的太阳能电池组件直接用于屋面,无法满足建筑采光的需求,因此,有必要提供一种新的太阳能电池组件的结构来解决上述问题。
发明内容
本发明实施方式的目的在于提供一种太阳能电池组件的制备方法,能够提高太阳能电池组件的透光性,进而提高应用该太阳能电池组件的建筑物的透光性。
为解决上述技术问题,本发明的实施方式提供了一种太阳能电池组件的制备方法,包括以下步骤:(1)在所述玻璃基板上设置背电极层;(2)划刻并贯穿所述背电极层、以使所述背电极层均匀分割为多个相互绝缘的背电极层单元,所述划刻并贯穿所述背电极层的划刻线为P1划刻线;(3)在所述背电极层上设置光电转换层,所述光电转换层包括光吸收层和过渡层;(4)划刻并贯穿所述光电转换层、以使所述光电转换层均匀分割为多个相互绝缘的光电转换层单元,所述划刻并贯穿所述光电转换层的划刻线为P2划刻线;(5)在所述光电转换层上设置透明前电极层;(6)划刻并贯穿所述光电转换层与所述透明前电极层组成的复合层,以使所述复合层均匀分割为多个相互绝缘的复合层单元,所述划刻并贯穿所述光电转换层与所述透明前电极层组成的复合层的划刻线为P3划刻线;其中,所述P1划刻线,所述P2划刻线,所述P3划刻线错位设置;(7)去除部分区域的所述复合层以及所述背电极层以露出所述玻璃基板形成透光区域,所述透光区域将所述太阳能电池组件分为多个太阳能电池串。
本发明实施方式还提供了一种太阳能电池组件,包括:有效区域以及透光区域,所述有效区域包括背电极层、设置在所述背电极层上的光电转换层、设置在所述光电转换层上的透明前电极层,以及贯穿所述背电极层的P1划刻线、贯穿所述光电转换层的P2划刻线,以及贯穿所述透明前电极层和所述光电转换层的P3划刻线,其中,光电转换层包括光吸收层和过渡层,所述P1划刻线、所述P2划刻线和所述P3划刻线错位设置,所述玻璃基板部分区域外露形成所述透光区域,所述透光区域将所述太阳能电池组件分为多个太阳能电池串。
本发明实施方式相对于现有技术而言,通过去除部分区域的所述复合层以及所述背电极层以露出所述玻璃基板形成透光区域,由于透光区域仅由玻璃基板组成,而玻璃基板具有高透光率,因此,透光区域的透光性良好,从而提高了太阳能电池组件的透光性,进而提高了应用该太阳能电池组件的建筑物的透光性。
可选的,所述去除部分区域的所述复合层以及所述背电极层以露出所述玻璃基板形成透光区域的步骤,具体为:利用喷砂工艺去除部分区域的所述复合层以及所述背电极层以露出所述玻璃基板形成透光区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的