[发明专利]一种去除金属表面氟离子的方法在审
| 申请号： | 201811426671.9 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN111223759A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 张海波 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;王卫彬 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 去除 金属表面 离子 方法 | ||
1.一种去除金属表面氟离子的方法，其特征在于，其包括以下步骤：用光刻显影液涂覆待处理的金属表面即可；其中，所述光刻显影液为碱性光刻显影液；所述待处理的金属表面为半导体集成制造中后端工艺结束后获得的器件表面。
2.如权利要求1所述的去除金属表面氟离子的方法，其特征在于，所述光刻显影液为四甲基氢氧化铵溶液或四丁基氢氧化铵溶液。
3.如权利要求2所述的去除金属表面氟离子的方法，其特征在于，当所述光刻显影液为四甲基氢氧化铵溶液时，所述四甲基氢氧化铵溶液的质量浓度为1-25％；
当所述光刻显影液为四丁基氢氧化铵溶液时，所述四丁基氢氧化铵溶液的质量浓度为1-25％。
4.如权利要求3所述的去除金属表面氟离子的方法，其特征在于，所述四甲基氢氧化铵溶液的质量浓度为2-5％，较佳地为2.4％；
所述四丁基氢氧化铵溶液的质量浓度为2-5％，较佳地为2.4％。
5.如权利要求1所述的去除金属表面氟离子的方法，其特征在于，所述涂覆的方法为喷涂或浸润；
和/或，所述待处理的金属表面包含铝基金属或铜基金属。
6.如权利要求5所述的去除金属表面氟离子的方法，其特征在于，所述铝基金属为铝硅铜金属、铝铜金属或铝硅金属。
7.如权利要求6所述的去除金属表面氟离子的方法，其特征在于，所述铝硅铜金属中硅的含量为0.8-1.2％，所述铝硅铜金属中铜的含量为0.02-0.04％；
所述铝铜金属中铜的含量为0.3-0.7％；
和/或，所述铝硅金属中硅的含量为0.8-1.2％。
8.如权利要求7所述的去除金属表面氟离子的方法，其特征在于，所述铝硅铜金属中硅的含量为1％，所述铝硅铜金属中铜的含量为0.04％；
所述铝铜金属中铜的含量为0.5％。
和/或，所述铝硅金属中硅的含量为1％。
9.如权利要求1所述的去除金属表面氟离子的方法，其特征在于，所述涂覆后进行静置，之后用水冲洗所述待处理的金属表面。
10.如权利要求9所述的去除金属表面氟离子的方法，其特征在于，所述静置的时间为20-40s；
和/或，所述水为去离子水。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海先进半导体制造股份有限公司，未经上海先进半导体制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811426671.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种气体样品的动态配制装置
- 下一篇：事务处理方法、装置和设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
