[发明专利]一种声表面波谐振结构滤波器在审
| 申请号： | 201811422063.0 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109327200A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 李勇;肖功亚;夏然;王文;陈培杕;施旭霞 | 申请（专利权）人： | 中电科技德清华莹电子有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/10 | 分类号： | H03H3/10;H03H9/64;H03H9/25 |
| 代理公司： | 杭州赛科专利代理事务所(普通合伙) 33230 | 代理人： | 伍华荣 |
| 地址： | 310000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 谐振器单元 声表面波谐振 结构滤波器 还原处理 压电晶片 热释电效应 钽酸锂晶体 铌酸锂晶体 压电晶体 周期电极 电极 电隔离 还原区 全表面 晶片 还原 线条 隔离 | ||
1.一种声表面波谐振结构滤波器，包括：压电晶片、设置在压电晶片表面的多个谐振器单元和电连接金属电极，其特征是：
所述压电晶片是采用提拉法生长的铌酸锂、钽酸锂单晶加工制作的晶圆；
所述压电晶片表面上制作了至少一个还原表面区；
至少有一个谐振器单元制作在还原表面区上；
非直接电连接的谐振器单元所在的还原表面区是不相连接的。
2.根据权利要求1所述的声表面波谐振结构滤波器，其特征是：所有的谐振器单元均制作在还原表面区上。
3.根据权利要求1所述的声表面波谐振结构滤波器，其特征是：直接电连接的谐振器单元的电连接金属电极，制作在还原表面区上。
4.根据权利要求1所述的声表面波谐振结构滤波器，其特征是：压电晶片表面的还原表面区，采用二氧化硅作为制作还原表面区工艺的隔离层。
5.根据权利要求1所述的声表面波谐振结构滤波器，其特征是：谐振器单元的金属电极是单种金属或多层金属构成的。
6.根据权利要求5所述的声表面波谐振结构滤波器，其特征是：谐振器单元的金属电极是Al，Cu，或Al/Cu构成的。
7.根据权利要求1所述的声表面波谐振结构滤波器，其特征是：还包括：制作在压电晶片上多个谐振器单元和电连接金属电极结构上方的多层介质膜。
8.根据权利要求7所述的多层介质膜，其特征是：最底层为一定厚度的二氧化硅。
9.根据权利要求8所述的二氧化硅层，其特征是：二氧化硅膜表面是平化的。
10.根据权利要求7所述的多层介质膜，其特征是：最顶层为一定厚度的氮化硅。
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