[发明专利]太阳能电池

说明书

公开了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板；整个形成在所述半导体基板的表面上的第一隧穿层；设置在所述半导体基板的所述表面上的第一导电类型区域；以及包括连接到所述第一导电类型区域的第一电极的电极。

本申请是原案申请号为201410130976.0的发明专利申请(申请日：2014年4月2日，发明名称：太阳能电池)的分案申请。

技术领域

本发明的实施方式涉及太阳能电池，更具体地讲，涉及一种包括半导体基板的太阳能电池。

背景技术

近年来，随着预期诸如石油和煤的传统能源将要耗尽，对取代这些能源的替代能源的关注正在增长。其中，作为将太阳能转换为电能的下一代电池，太阳能电池吸引了相当大的关注。

这种太阳能电池可通过在半导体基板上形成导电类型区域以及与该导电类型区域电连接的电极以引起光电转换来制造。另外，太阳能电池可包括使导电类型区域钝化的钝化膜、防止反射的减反射膜等，以便改进太阳能电池的性能。

在这方面，传统太阳能电池的效率可能由于半导体基板上的载流子的复合、载流子的长迁移距离等而劣化。因此，应该将太阳能电池设计为使得其效率可最大化。

发明内容

本发明的实施方式的目的在于提供一种能够使效率最大化的太阳能电池。

根据本发明的实施方式的一个方面，上述和其它方面可通过提供一种太阳能电池来实现，该太阳能电池包括：半导体基板；第一隧穿层，其整个形成在所述半导体基板的表面上；第一导电类型区域，其设置在所述半导体基板的所述表面上；以及电极，其包括连接到所述第一导电类型区域的第一电极，其中，所述第一导电类型区域包括第一部分，该第一部分设置在所述第一隧穿层上并且包括利用第一导电类型的掺杂物掺杂的多晶半导体、非晶半导体或微晶半导体。

根据本发明的实施方式，在所述半导体基板上形成所述隧穿层之后，在所述隧穿层上形成导电类型区域(发射极区域、背面场区域等)。结果，半导体基板的背面上的缺陷被有效去除，并且导致光电转换的载流子被有效迁移。因此，防止对半导体基板的损伤，并因此有效去除半导体基板的背面上的复合部位(recombination site)。因此，可进一步改进太阳能电池的效率。

在根据本发明的另一实施方式的太阳能电池中，导电类型区域包括多个部分，所述多个部分被设置为使得隧穿层介于所述部分之间，从而使半导体基板上的复合最小化并改进与电极的电连接。结果，可改进太阳能电池的效率。

附图说明

从下面结合附图进行的详细描述，本发明的实施方式的上述和其它目的、特征和其它优点将更清楚地被理解，附图中：

图1是示出根据本发明的实施方式的太阳能电池的截面图；

图2是示出根据该实施方式的太阳能电池的平面图；

图3是示出根据图1所示的实施方式的修改实施方式的太阳能电池的截面图；

图4是示出根据本发明的另一实施方式的太阳能电池的截面图；

图5是示出根据图4所示的实施方式的修改实施方式的太阳能电池的截面图；

图6是示出图4所示的实施方式的另一修改实施方式的截面图；

图7是示出根据图4所示的实施方式的另一修改实施方式的太阳能电池的截面图；

图8是示出根据本发明的另一实施方式的太阳能电池的截面图；

图9是示出根据图8所示的实施方式的修改实施方式的太阳能电池的截面图；

图10是示出根据图8所示的实施方式的另一修改实施方式的太阳能电池的截面图；