[发明专利]一种光电二极管的测试方法以及装置有效
申请号: | 201811401024.2 | 申请日: | 2018-11-22 |
公开(公告)号: | CN111289866B | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
发明(设计)人: | 雷述宇 | 申请(专利权)人: | 宁波飞芯电子科技有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 315500 浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光电二极管 测试 方法 以及 装置 | ||
1.一种光电二极管的传输栅的电性能测试方法,其特征在于,所述光电二极管包括至少两个传输栅、光生电荷收集区以及设置在所述光生电荷收集区两侧的至少两个悬浮扩散节点,其中,所述至少两个传输栅连接于所述光生电荷收集区与所述至少两个悬浮扩散节点之间,所述至少两个悬浮扩散节点分别为源极和漏极;连接于所述光生电荷收集区与所述至少两个悬浮扩散节点中作为所述源极的悬浮扩散节点之间的传输栅为源极传输栅,连接于所述光生电荷收集区与所述至少两个悬浮扩散节点中作为所述漏极的悬浮扩散节点之间的传输栅为漏极传输栅;
所述测试方法包括:
控制施加于所述至少两个传输栅的测试电压根据预设规则变化;
在根据所述预设规则变化的测试电压下,监测经过所述源极和所述漏极之间的测试电流;
根据监测到的所述测试电流确定所述漏极传输栅的最大跨导和/或阈值电压。
2.如权利要求1所述的测试方法,其特征在于,所述根据监测到的所述测试电流确定所述漏极传输栅的最大跨导和/或阈值电压,包括:
根据监测到的所述测试电流生成所述漏极传输栅的IV曲线;
对所述漏极传输栅的IV曲线进行求导得到所述漏极传输栅的最大跨导;和/或
根据所述漏极传输栅的IV曲线以及对所述漏极传输栅的IV曲线求导得到的最大跨导来确定所述漏极传输栅的阈值电压。
3.如权利要求1所述的测试方法,其特征在于,其中,所述测试电压包括施加在所述源极传输栅上的第一测试电压以及施加在所述漏极传输栅上的第二测试电压,所述第一测试电压为静态值,所述第二测试电压为处于动态变化范围内的动态值;
所述控制施加于所述至少两个传输栅的测试电压根据预设规则变化,包括:
将所述第一测试电压设置为所述静态值,并根据所述动态变化范围调整所述第二测试电压从预设的测试电压初值开始升高。
4.如权利要求3所述的测试方法,其特征在于,所述根据监测到的所述测试电流确定所述漏极传输栅的最大跨导和/或阈值电压,包括:
根据监测到的所述测试电流生成所述漏极传输栅的IV曲线;
对所述漏极传输栅的IV曲线进行求导得到所述漏极传输栅的最大跨导;和/或
根据所述漏极传输栅的IV曲线以及对所述漏极传输栅的IV曲线求导得到的最大跨导来确定所述漏极传输栅的阈值电压。
5.如权利要求3或4所述的测试方法,其特征在于,其中,所述源极接地;且
施加于所述漏极的漏极电压高于所述第一测试电压,施加于所述漏极的漏极电压高于所述第二测试电压。
6.如权利要求1至4任一所述的测试方法,其特征在于,其中,所述光电二极管还包括半导体衬底和钳位层,所述半导体衬底接地,所述钳位层接地。
7.一种光电二极管的测试装置,其特征在于,用于执行如权利要求1至6任一所述的方法,所述光电二极管包括至少两个传输栅、光生电荷收集区以及设置在所述光生电荷收集区两侧的至少两个悬浮扩散节点,其中,所述至少两个传输栅连接于所述光生电荷收集区与所述至少两个悬浮扩散节点之间,所述至少两个悬浮扩散节点分别为源极和漏极;连接于所述光生电荷收集区与所述至少两个悬浮扩散节点中作为所述源极的悬浮扩散节点之间的传输栅为源极传输栅,连接于所述光生电荷收集区与所述至少两个悬浮扩散节点中作为所述漏极的悬浮扩散节点之间的传输栅为漏极传输栅;所述测试装置包括:
控制单元,用于控制施加于至少两个传输栅的测试电压;
监测单元,用于在不同的测试电压下监测经过所述源极和所述漏极之间的测试电流;
处理单元,用于根据监测到的所述测试电流确定所述漏极传输栅的最大跨导和/或阈值电压。
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