[发明专利]一种电致发光显示面板、其制作方法及显示装置在审
| 申请号： | 201811399793.3 | 申请日： | 2018-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN109300969A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 王和金;刘政 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示面板 光电转换单元 电致发光显示面板 衬底基板 发光结构 显示装置 光转换 正投影 照射 供电 阵列排布 不重叠 出光面 反射率 间隙处 制作 能耗 | ||
1.一种电致发光显示面板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上呈阵列排布的发光结构，其特征在于，还包括：位于所述电致发光显示面板出光面一侧的光电转换单元；
所述光电转换单元在所述衬底基板上的正投影与所述发光结构在所述衬底基板上的正投影不重叠；
所述光电转换单元用于将外界照射在显示面板上的光转换为电能为显示面板供电。
2.如权利要求1所述的电致发光显示面板，其特征在于，所述电致发光显示面板为顶发射型显示面板，所述显示面板还包括：覆盖所述发光结构的封装层；
所述光电转换单元位于所述封装层背离所述发光结构的一侧。
3.如权利要求2所述的电致发光显示面板，其特征在于，还包括位于所述封装层与所述光电转换单元之间的缓冲层。
4.如权利要求1所述的电致发光显示面板，其特征在于，所述电致发光显示面板为底发射型显示面板，所述光电转换单元位于所述衬底基板与所述发光结构之间；或者，
所述光电转换单元位于所述衬底基板背离所述发光结构的一侧。
5.如权利要求1-4任一项所述的电致发光显示面板，其特征在于，所述光电转换单元包括：光电转换二极管；
所述光电转换二极管包括：金属阳极、透明阴极以及位于所述透明阴极和所述金属阳极之间光电转换结构；
所述金属阳极位于所述透明阴极与所述发光结构之间。
6.如权利要求5所述的电致发光显示面板，其特征在于，所述光电转换二极管为多个；
相邻两个所述光电转换二极管的所述金属阳极之间设置有第一绝缘保护层。
7.如权利要求5所述的电致发光显示面板，其特征在于，所述电致发光显示面板还包括：覆盖所述光电转换二极管的第二绝缘保护层。
8.如权利要求5所述的电致发光显示面板，其特征在于，所述光电转换结构为p-i-n型光电转换结构。
9.一种如权利要求1-8任一项所述的电致发光显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上形成呈阵列排布的发光结构；
在所述发光显示面板出光面一侧形成光电转换单元，其中，所述光电转换单元在所述衬底基板上的正投影与所述发光结构在所述衬底基板上的正投影不重叠。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的电致发光显示面板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
