[发明专利]一种起爆器爆炸桥箔的制作方法

权利要求书

1.一种起爆器爆炸桥箔的制作方法，其特征在于：首先对陶瓷基底（1）的表面处理，陶瓷基底经过表面处理研磨抛光后，表面粗糙度达到小于15nm时，将陶瓷基底放入酒精进行超声波清洗干净并用氮气吹干，在待镀膜面上均匀涂覆一层光刻胶，通过紫外光刻工艺在光刻胶表面制作桥箔掩膜图形，将胶膜经过固胶处理后，采用双离子束溅射镀膜工艺在陶瓷基底待镀膜面叠加沉积纯钛、纯铜和纯金三种金属膜层，桥箔（2）制作结束后放入酒精进行超声波清洗去胶获得最终的桥箔图形，桥箔电阻值范围为30～50Ω；同时在陶瓷基底（1）上加工两个对称的通孔（3），通孔（3）直径为1.5mm，通孔（3）的孔壁通过双离子束溅射工艺进行金属化处理，使孔壁和桥箔（2）表面形成一体化的连续膜层。

2.根据权利要求1所述的一种起爆器爆炸桥箔的制作方法，其特征在于：金属膜层厚度分别为钛膜0.1μm～0.2μm、铜膜3μm～4μm、金膜0.1μm～0.2μm。

3.根据权利要求1所述的一种起爆器爆炸桥箔的制作方法，其特征在于：陶瓷基底（1）采用Al2O3材料加工成圆薄片，陶瓷基底（1）直径为6mm，厚度为2mm。

4.根据权利要求1所述的一种起爆器爆炸桥箔的制作方法，其特征在于：包含以下步骤

步骤一、对陶瓷基底（1）进行表面处理，包括研磨抛光，使待镀膜表面粗糙度小于15nm；

步骤二、将经过表面处理的陶瓷基底（1）放入酒精进行超声波清洗干净并用氮气吹干后，在待镀膜表面均匀涂覆光刻胶，并进行固胶处理；

步骤三、采用紫外光刻工艺将桥箔（2）的掩膜图形制作在陶瓷基底（1）表面；

步骤四、采用双离子束溅射镀膜工艺在陶瓷基底（1）表面制作桥箔（2），桥箔（2）材料由下而上依次为纯钛膜、纯铜膜和纯金膜，三种膜层厚度依次为钛膜：0.1μm～0.2μm、铜膜：3μm～4μm、金膜：0.1μm～0.2μm；

步骤五、桥箔（2）制作完成后，放入酒精进行超声波清洗去除多余光刻胶获得最终的桥箔（2）图形。