[发明专利]阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201811382500.0 | 申请日: | 2018-11-20 |
公开(公告)号: | CN109346486B | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 徐姗姗;徐旭;陈丽雯 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;福州京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 汪源;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示装置 | ||
本发明提供一种阵列基板及显示装置。该阵列基板包括衬底基板和位于所述衬底基板上的栅线、数据线,所述栅线和所述数据线交叉限定出像素单元;所述栅线的远离所述衬底基板的一侧设置有第一遮光导电层,且所述第一遮光导电层至少覆盖所述栅线设置;和/或,所述数据线的远离所述衬底基板的一侧设置有第二遮光导电层,且所述第二遮光导电层至少覆盖所述数据线设置。本发明所提供的阵列基板及显示装置,能够有效阻挡栅线上方和/或数据线上方的漏光,并且能够在一定程度上提高显示产品的开口率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术
目前,显示产品的开口率大小将直接影响产品的透过率的大小,从而直接决定了显示产品的竞争力。在传统的显示产品中,在阵列基板上,栅线(Gate)和像素(Pixel)电极之间以及数据线(Data)和像素电极之间存在电场,使得栅线上方和数据线上方存在漏光现象。
因此,在现有技术中,通常需要在与阵列基板相对设置的彩膜基板上设置黑矩阵(BM),以实现遮挡栅线上方和数据线上方的漏光。同时,阵列基板还包括公共电极线,公共电极线与栅线同层形成,公共电极线对应的位置同样需要设置黑矩阵来遮挡公共电极线上方的漏光。此外,现有的黑矩阵和公共电极线的设置,占用了显示产品一定的空间,在一定程度上限制了显示产品的开口率,影响了显示产品的透过率,从而影响了显示产品的显示画面的色域等光学性能,进而影响了显示产品的竞争力。
发明内容
本发明旨在至少解决上述现有技术中存在的技术问题之一,提供一种阵列基板及显示装置。
为实现上述目的,本发明提供了一种阵列基板,该阵列基板包括衬底基板和位于所述衬底基板上的栅线、数据线,所述栅线和所述数据线交叉限定出像素单元;
所述栅线的远离所述衬底基板的一侧设置有第一遮光导电层,且所述第一遮光导电层至少覆盖所述栅线设置;和/或,
所述数据线的远离所述衬底基板的一侧设置有第二遮光导电层,且所述第二遮光导电层至少覆盖所述数据线设置。
可选地,若所述栅线的远离所述衬底基板的一侧设置有所述第一遮光导电层,且所述数据线的远离所述衬底基板的一侧设置有所述第二遮光导电层时,所述第一遮光导电层和所述第二遮光导电层之间电连接,且所述第一遮光导电层和所述第二遮光导电层同层设置。
可选地,该阵列基板还包括公共电极,所述公共电极位于所述像素单元中,且所述公共电极位于所述栅线、所述数据线的远离所述衬底基板的一侧;
若所述栅线的远离所述衬底基板的一侧设置有第一遮光导电层时,所述第一遮光导电层与所述公共电极之间电连接。
可选地,该阵列基板还包括公共电极,所述公共电极位于所述像素单元中,且所述公共电极位于所述栅线、所述数据线的远离所述衬底基板的一侧;
若所述数据线的远离所述衬底基板的一侧设置有第二遮光导电层时,所述第二遮光导电层与所述公共电极之间电连接。
可选地,该阵列基板还包括像素电极,所述像素电极位于所述像素单元中,所述像素电极与所述公共电极对应设置,且所述像素电极位于所述栅线、所述数据线的靠近所述衬底基板的一侧。
可选地,所述第一遮光导电层具有沿所述栅线设置的方向设置和沿所述数据线设置的方向设置的多个第一侧边,所述栅线具有与所述第一侧边对应设置的第二侧边;
所述第一侧边在所述衬底基板上的正投影和对应的所述第二侧边在所述衬底基板上的正投影之间的距离范围为4微米至5微米。
可选地,所述第二遮光导电层具有沿所述栅线设置的方向设置和沿所述数据线设置的方向设置的多个第三侧边,所述数据线具有与所述第三侧边对应设置的第四侧边;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;福州京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;福州京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811382500.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的