[发明专利]固态成像装置和电子设备有效
申请号: | 201811377907.4 | 申请日: | 2014-06-20 |
公开(公告)号: | CN109390366B | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 野村宏利 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/232;H04N5/369;H04N5/3745 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 葛青 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 电子设备 | ||
1.一种成像装置,包括:
像素阵列单元,包括第一像素和第二像素,其中,所述第一像素是相差像素,所述第二像素是成像像素;和
列处理单元,
其中,第一像素和第二像素中的每一个包括:
微型透镜;
浮置扩散区域;和
光电转换区域,被配置为接收通过微型透镜的光并耦合到浮动扩散区域,
其中,第一像素的光电转换区域的光入射表面由形成在沟槽中的光屏蔽结构分成四个子区域,并且所述光屏蔽结构包括在第一像素的第一和第二相对侧之间延伸的第一部分和在第一像素的第三和第四相对侧之间延伸的第二部分,并且其中第一和第二部分在俯视图中彼此垂直。
2.根据权利要求1所述的成像装置,
其中,第二像素的光电转换区域的光入射表面未被光屏蔽结构分成四个子区域。
3.根据权利要求1所述的成像装置,
其中,分开的四个子区域的尺寸设置得不均匀。
4.根据权利要求1所述的成像装置,其中,所述光屏蔽结构包括金属材料。
5.根据权利要求1所述的成像装置,其中,所述第一像素包括四个光电二极管,并且其中,所述光屏蔽结构将所述第一像素的所述四个光电二极管彼此分开。
6.一种成像装置,包括:
像素阵列单元,包括第一像素和第二像素,其中,所述第一像素是相差像素,所述第二像素是成像像素;和
列处理单元,
其中,第一像素和第二像素中的每一个包括:
微型透镜;
浮置扩散区域;和
光电转换区域,被配置为接收通过微型透镜的光并耦合到浮动扩散区域,
其中,第一像素的光电转换区域的光入射表面由形成在沟槽中的光屏蔽结构分成四个子区域,所述沟槽在俯视图中具有十字形状。
7.根据权利要求6所述的成像装置,
其中,第二像素的光电转换区域的光入射表面未被沟槽分成四个子区域。
8.根据权利要求6所述的成像装置,
其中,分开的四个子区域的尺寸设置得不均匀。
9.根据权利要求6所述的成像装置,其中,金属材料被布置在所述沟槽中。
10.根据权利要求6所述的成像装置,其中,所述第一像素包括四个光电二极管,并且其中,所述光屏蔽结构将所述第一像素的所述四个光电二极管彼此分开。
11.一种成像装置,包括:
像素阵列单元,包括第一像素和第二像素,其中,所述第一像素是相差像素,所述第二像素是成像像素;和
列处理单元,
其中,第一像素和第二像素中的每一个包括:
微型透镜;
浮置扩散区域;和
光电转换区域,被配置为接收通过微型透镜的光并耦合到浮动扩散区域,
其中,第一像素的光电转换区域的光入射表面由形成在沟槽中的光屏蔽结构分成四个子区域,所述沟槽具有中心带有十字的正方形形状。
12.根据权利要求11所述的成像装置,
其中,第二像素的光电转换区域的光入射表面未被沟槽分成四个子区域。
13.根据权利要求11所述的成像装置,
其中,分开的四个子区域的尺寸设置得不均匀。
14.根据权利要求11所述的成像装置,其中,金属材料被布置在所述沟槽中。
15.根据权利要求11所述的成像装置,其中,所述第一像素包括四个光电二极管,并且其中,所述光屏蔽结构将所述第一像素的所述四个光电二极管彼此分开。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的