[发明专利]一种氧化锆陶瓷喂纱嘴的制备方法

权利要求书

1.一种氧化锆陶瓷喂纱嘴的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

(1)将氧化锆陶瓷粉末注射入模具中，所述注射的压力为47.5-52.5bar，冷却成型，形成喂纱嘴模型；

(2)用白油对步骤(1)得到的喂纱嘴模型进行浸泡，将得到的喂纱嘴模型粗修胚，修正瑕疵；

(3)将步骤(2)处理后的喂纱嘴模型加热脱蜡脱胶，所述脱蜡脱胶的温度为175-410℃，所述脱蜡脱胶的步骤为：将步骤(2)处理后的喂纱嘴模型加热至55-65℃，然后以≤0.3℃/min的升温速率升温至175-185℃，保温120-240min，然后以≤0.35℃/min的升温速率升温至390-410℃，然后以≤2.5℃/min的降温速率降温至175-185℃，最后冷却至室温，形成喂纱嘴胚料；

(4)对步骤(3)得到的喂纱嘴胚料进行烧结，所述烧结的温度为1580-1620℃，所述烧结的步骤为：将(3)得到的喂纱嘴胚料加热至175-185℃，然后以≤5℃/min的升温速率升温至390-410℃，然后以≤1.2℃/min的升温速率升温至840-860℃，保温120-240min，然后以≤3℃/min的升温速率升温至1480-1520℃，保温120-240min，然后升温至1580-1620℃，保温120-240min，最后以≤5℃/min的降温速率降温至室温，得到所述氧化锆陶瓷喂纱嘴。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述注射是在陶瓷粉末注射成型机中进行。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述陶瓷粉末注射成型机的加热段从上至下为第一段、第二段、第三段和第四段，各段温度分别为第一段60-70℃，第二段160-170℃，第三段160-170℃，第四段150-160℃。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述浸泡的温度为20-30℃。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述浸泡的时间为24-48h。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：在步骤(4)中所述烧结之后，依次对得到的氧化锆陶瓷喂纱嘴进行精修坯、粗抛光和精抛光。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

(1)将氧化锆陶瓷粉末通过陶瓷粉末注射成型机注射入模具中，所述陶瓷粉末注射成型机的加热段从上至下为第一段、第二段、第三段和第四段，各段温度为第一段60-70℃，第二段160-170℃，第三段160-170℃，第四段150-160℃，注射压力为47.5-52.5bar，冷却成型后形成喂纱嘴模型；

(2)将步骤(1)得到的喂纱嘴模型置于白油中，在20-30℃下浸泡24-48h，然后粗修胚，修正瑕疵；

(3)将步骤(2)处理后的喂纱嘴模型加热脱蜡脱胶，所述脱蜡脱胶的步骤为：先加热至55-65℃，然后以≤0.3℃/min的升温速率升温至175-185℃，保温120-240min，然后以≤0.35℃/min的升温速率升温至390-410℃，然后以≤2.5℃/min的降温速率降温至175-185℃，最后冷却至室温，得到喂纱嘴胚料；

(4)对步骤(3)得到的喂纱嘴胚料进行烧结，所述烧结的步骤为：先加热至175-185℃，然后以≤5℃/min的升温速率升温至390-410℃，然后以≤1.2℃/min的升温速率升温至840-860℃，保温120-240min，然后以≤3℃/min的升温速率升温至1480-1520℃，保温120-240min，然后升温至1580-1620℃，保温120-240min，最后以≤5℃/min的降温速率降温至300℃以下，然后进行精修坯、粗抛光和精抛光，得到所述氧化锆陶瓷喂纱嘴。