[发明专利]一种蓝宝石单面抛光片厚度不良返工流程与方法

说明书

本发明专利公布了一种蓝宝石单面抛光片厚度不良的返工流程与方法，其特征在于通过现有设备对蓝宝石晶片单面进行抛光；首先对抛光后的蓝宝石晶片表面进行图形测绘；然后通过测量分析得出蓝宝石晶片表面厚度单位区域差异(TTV、LTV、TIR、坑点)；根据对蓝宝石晶片表面厚度单位区域(TTV、LTV、TIR、坑点)数值的分析，结合降低成品晶片报废率及提升晶片返工最大利用率原则对抛光晶片载盘、抛光垫、机台盘面、抛光液进行改良；最后用调整后的抛光方法对蓝宝石单抛片进行返抛。测量抛光后蓝宝石返抛片的整体厚度单位区域差异(TTV、LTV、TIR、坑点)，直到达到晶片厚度平整度要求。

技术领域

本发明涉及一种蓝宝石单面抛光片厚度不良返工流程与方法，尤其是涉及一种蓝宝石单面抛光片表面后去厚度差异大的不良返工流程与方法

背景技术

随着太阳能产业链的材料碳化硅的蓬勃发展，蓝宝石LED照明产业凭借其在节能降耗领域的性能优势，迎来黄金发展期，市场规模正在急剧扩大。

随着技术的进步，从2015年开始，国内外市场主流制作高亮蓝光LED的衬底均选用4英寸蓝宝石平片或图形化蓝宝石衬底(PSS)。为了提高图形化产品一致性和整体合格率,目前正向较大尺寸的4英寸蓝宝石衬底片方向发展,衬底片加工是LED全产业链中一个非常重要的环节,也是外延客户的重要原材料,占外延成本达30％以上,因此,蓝宝石衬底的成本至关重要,而目前各厂家的衬底良率已经来到>90％的关头,如何救回已经产生的蓝宝石单抛厚度不良片,是各厂家节省成本的重要研究项目,透过提高整体的良率与产出来符合客户的价格需求

传统的表面厚度不良解决方法通常以以研磨砂浆整批作业方式，难以确保晶片背面粗糙度的均匀性要求，以及抛光面的保护，良率难以提高，因此，本专利提出一种蓝宝石单面抛光片厚度不良返工流程与方法，可在达成背面粗糙度的均匀性要求外，也确保了抛光面的保护，同时可批量连续式进行作业，大大提升现有作业的效率以及晶片表面厚度不良的返修良率。

发明内容

针对现有蓝宝石单抛片表面厚度不良的问题，本发明提供了一种蓝宝石单面抛光片厚度不良返工流程与方法，此发明主要用在单抛机上，根据对蓝宝石晶片表面厚度不良的图形分析，按照晶片表面内外厚程度，先固定大盘恒温温度，然后对现有使用机台的整个盘面盘型进行修整，将盘型按晶片厚度表面内外圈不良几种区域(TTV、LTV、TIR、坑点)进行计算修整，然后将不良返抛晶片固定在晶片载盘上，晶片不良位置统一方向固定(按照同等厚度不良因素)，使得晶片在加工过程中，保证晶片表面厚度较差区域有较高的去除速率同时，也保证晶片厚度表面质量的稳定性，解决了现有技术中存在的不足。

进一步的，所述的晶片载盘吸附晶片方式可以是真空吸附，贴蜡吸附，浸水吸附(吸附必须在载盘和晶片洁净程度下进行)。

进一步的，所述的抛头温度，需根据盘面加工温度做对应调整。

进一步的，所述的抛光加工温度，采用中温、中压的加工方式。

进一步的，对晶片厚度表面产生不良位置处进行测绘。

进一步的，所述抛光盘面与蓝宝石晶片不完全接触。

进一步的，所述的头、尾片加工，可应用于2、4、6、8、12寸及更大尺寸的圆片或方片。

进一步的，所述的蓝宝石头、尾片，可以更改成碳化硅、氮化镓头、尾片衬底。

附图说明

图1：单面抛光片厚度不良返工示意图

具体实施方案

下面结合附图对本发明实施举例进行说明: